GB/T 42897-2023 相关标准英文版PDF
| 标准号码 | 价格美元 | 第2步(购买) | 交付天数 | 标准名称 |
| GB/T 42897-2023 | 269 | GB/T 42897-2023 | [PDF]天数 <=3 | 微机电系统（MEMS）技术 硅基MEMS纳米厚度膜抗拉强度试验方法 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | GB/T 42897-2023 (GB/T42897-2023) |
| 中文名称 | 微机电系统（MEMS）技术 硅基MEMS纳米厚度膜抗拉强度试验方法 |
| 英文名称 | Micro-electromechanical systems(MEMS) technology - Tensile strength test method for nano-scale membranes of silicon based MEMS |
| 行业 | 国家标准 (推荐) |
| 中标分类 | L59 |
| 国际标准分类 | 31.200 |
| 字数估计 | 14,152 |
| 发布日期 | 2023-08-06 |
| 实施日期 | 2023-12-01 |
| 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 |
GB/T 42897-2023: 微机电系统（MEMS）技术 硅基MEMS纳米厚度膜抗拉强度试验方法
ICS 31.200
CCSL59
中华人民共和国国家标准
微机电系统(MEMS)技术
硅基 MEMS纳米厚度膜抗拉强度试验方法
2023-08-06发布
2023-12-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
目次
前言 Ⅲ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 试验要求 1
5 试验方法 3
附录A(资料性) 推荐形变量标尺结构及其指示数值读取方法 5
附录B(资料性) 纳米厚度膜抗拉强度原位片上试验机体硅工艺制备实例 6
附录C(资料性) 纳米厚度膜抗拉强度原位片上试验机尺寸建议 7
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)提出并归口。
本文件起草单位:北京大学、中机生产力促进中心有限公司、中国电子技术标准化研究院、北京燕东
微电子科技有限公司、厦门市智慧健康研究院有限公司、宁波瑞成包装材料有限公司、四川富生电器有
限责任公司、深圳市美思先端电子有限公司、无锡韦感半导体有限公司、广州奥松电子股份有限公司、江
门市润宇传感器科技有限公司。
本文件主要起草人:张大成、杨芳、李根梓、顾枫、刘鹏、李凤阳、王旭峰、高程武、陈艺、于志恒、
华璇卿、刘若冰、张彦秀、王清娜、邵峥、李强、宏宇、赵成龙、张宾、李海全。
微机电系统(MEMS)技术
硅基 MEMS纳米厚度膜抗拉强度试验方法
1 范围
本文件描述了硅基 MEMS加工过程中所涉及的纳米厚度膜轴向抗拉强度原位试验的要求和试验
方法。
本文件适用于采用微电子工艺制造的纳米厚度膜抗拉强度测试。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文
件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于
本文件。
GB/T 26111 微机电系统(MEMS)技术 术语
3 术语和定义
GB/T 26111界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
硅加工工艺 siliconprocess
硅微加工技术。
注:虽然硅工艺一般分为表面微加工和体硅微加工,但其中的许多技术是相同的。
[来源:GB/T 26111-2010,3.5.2]
3.2
由测试结构和测试装置组成,并将二者集成在同一晶圆上采用同一硅加工工艺流程加工形成的用
于评估工艺相关微纳结构抗拉强度的试验机。
3.3
测试结构 teststructure
为了测量材料性能或微结构的性能专门制作的微纳结构。
注:例如,悬臂梁或者是固定梁。
[来源:GB/T 26111-2010,3.7.19,有修改]
3.4
测试装置 testin......