| 标准编号 | GB/T 42902-2023 (GB/T42902-2023) | | 中文名称 | 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法 | | 英文名称 | Test method for surface defects on silicon carbide epitaxial wafers - Laser scattering method | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H21 | | 国际标准分类 | 77.040 | | 字数估计 | 14,168 | | 发布日期 | 2023-08-06 | | 实施日期 | 2024-03-01 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 42902-2023: 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法
ICS 77.040
CCSH21
中华人民共和国国家标准
碳化硅外延片表面缺陷的测试
激光散射法
2023-08-06发布
2024-03-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本文件起草单位:安徽长飞先进半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、安徽芯乐半导体
有限公司、南京国盛电子有限公司、浙江芯科半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、中国科
学院半导体研究所。
本文件主要起草人:钮应喜、袁松、张会娟、刘敏、仇光寅、李京波、彭铁坤、袁肇耿、杨龙、闫果果。
碳化硅外延片表面缺陷的测试
激光散射法
1 范围
本文件描述了激光散射法测试碳化硅外延片表面缺陷的方法。
本文件适用于4H-SiC外延片的表面缺陷测试。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文
件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于
本文件。
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 25915.1 洁净室及相关受控环境 第1部分:按粒子浓度划分空气洁净度等级
3 术语和定义
GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
掉落颗粒物缺陷 downfaldefect
外延生长前或生长过程中,反应生长室壁上的黑色无定形碳或SiC微颗粒物掉落在衬底或者外延
层表面上,经过外延生长后局部或全部深陷于外延层中,形成的点状缺陷。
3.2
三角形缺陷 triangledefect
碳化硅外延片上外观呈现三角形形状的表面缺陷。
注1:三角形缺陷由变形的4H-SiC晶型边界和含有3C晶型夹层的三角形区域构成,是外延生长过程中,台阶流动
因衬底表面存在外来颗粒物、晶体缺陷或者划痕而受到干扰所致。
注2:在光致发光通道呈现三角形形状,而在表面通道呈现一条或者两条或者三条边,第三条边与主参考边几乎成
90°。三角形头部有时有一明显的小三角形凹痕,内含3C-SiC晶型层,此时为浅三角形缺陷。
3.3
胡萝卜缺陷 carrotdefect
碳化硅外延片上外观呈现胡萝卜形状的表面缺陷。
注:有时胡萝卜缺陷棱角分明。这些缺陷平行排列,随着外延层厚度的增大,胡萝卜缺陷沿[1120]方向延伸,且与
主参考边[1120]方向平行。胡萝卜缺陷长度(L)趋于相同,并满足L=d/sinθ,其中d为4H-SiC外延层厚度,θ
为衬底表面的偏转角度(θ=4°)。
3.4
梯形缺陷 trapezoiddefect
碳化硅外延片上外观呈现梯形形状的......
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