GB/T 46789-2025 相关标准英文版PDF
| 标准号码 | 价格美元 | 第2步(购买) | 交付天数 | 标准名称 |
| GB/T 46789-2025 | 214 | GB/T 46789-2025 | [PDF]天数 <=3 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | GB/T 46789-2025 (GB/T46789-2025) |
| 中文名称 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验 |
| 英文名称 | Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) |
| 行业 | 国家标准 (推荐) |
| 中标分类 | L40 |
| 国际标准分类 | 31.080.01 |
| 字数估计 | 10,149 |
| 发布日期 | 2025-12-02 |
| 实施日期 | 2026-07-01 |
| 发布机构 | 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会 |
GB/T 46789-2025: 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验
ICS 31.080.01
CCSL40
中华人民共和国国家标准
半导体器件 金属氧化物半导体场效应
晶体管(MOSFETs)的可动离子试验
(IEC 62417:2010,IDT)
2025-12-02发布
2026-07-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
目次
前言 Ⅲ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 符号和缩略语 1
5 概述 1
6 测试设备 2
7 测试结构 2
8 样本大小 2
9 条件 2
10 程序 2
10.1 偏压温度应力 2
10.2 电压扫描 3
11 判据 3
12 报告 4
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件等同采用IEC 62417:2010《半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的
可动离子试验》。
本文件增加了“规范性引用文件”和“术语和定义”两章。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
本文件起草单位:中国电子科技集团公司第十三研究所、河北北芯半导体科技有限公司、合肥华祯
智能科技有限公司、佛山市川东磁电股份有限公司、厦门芯阳科技股份有限公司、河北新华北集成电路
有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、上海维安半导体有限公司、浙江朗德电子科技有限公司、
重庆平伟实业股份有限公司、无锡新洁能股份有限公司、江苏长晶科技股份有限公司、河北赛美科技有
限公司。
本文件主要起草人:赵海龙、彭浩、张魁、张中、席善斌、黄志强、黄杰、刘东月、冉红雷、尹丽晶、颜天宝、
裴选、柳华光、曲韩宾、任怀龙、高博、章晓文、苏海伟、陈磊、李述洲、朱袁正、杨国江、李永安、康金萌。
半导体器件 金属氧化物半导体场效应
晶体管(MOSFETs)的可动离子试验
1 范围
本文件确立了一种用于确定金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的氧化层中可动正电荷
数量的晶圆级测试程序。
本文件适用于有源场效应晶体管和寄生场效应晶体管。可动电荷会引起半导体器件退化,例如改
变 MOSFETs的阈值电压或使双极型晶体管基极反型。
2 规范性引用文件
本文件没有规范性引用文件。
3 术语和定义
本文件没有需要界定的术语和定义。
4 符号和缩略语
下列符号和缩略语适用于本文件。
C-V:电容-电压(capacitance-voltagemeasurement)
Ids:漏源电流(drain-sourcecurrent)
tox:氧化层厚度(oxidethickness)
Vg:栅极电压(gatevoltage)
5 概述
一定高温下在测试结构上施加偏压应力,该温度能使可动离子越过界面处的势垒,并使氧化层中离
子迁移率足......