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| 标准编号 | GB/T 47601-2026 (GB/T47601-2026) | | 中文名称 | 电光晶体 | | 英文名称 | Electro-optic crystals | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | Q65 | | 国际标准分类 | 31.260 | | 字数估计 | 14,184 | | 发布日期 | 2026-05-25 | | 实施日期 | 2026-12-01 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会 | GB/T 47601-2026: 电光晶体
GB/T 47601-2026 英文版: Electro-optic crystals
中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准
ICS 31.260CCS Q 65
电 光 晶 体
2026⁃05⁃25 发布
2026⁃12⁃01 实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
前言
本文件按照 GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第 1 部分：标准化文件的结构和起草规则》的规
定起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由中国建筑材料联合会提出。
本文件由全国人工晶体标准化技术委员会（SAC/TC 461）归口。
本文件起草单位：中国科学院福建物质结构研究所、闽都创新实验室、福建福晶科技股份有限公司、
四川师范大学、中材人工晶体研究院有限公司、北京中材人工晶体研究院有限公司、中国科学院新疆理
化技术研究所、中国电子科技集团公司第二十六研究所、中国科学院空天信息创新研究院、济南晶众光
电科技有限公司、上海瑞立柯信息技术有限公司、中国科学院上海硅酸盐研究所、南开大学、重庆允公
光电科技有限公司、眉山博雅新材料股份有限公司、西南技术物理研究所。
本文件主要起草人：王帅华、郑熠、黄鑫、郑发鲲、曹礼玲、吴少凡、张戈、张星、孙军、陈建荣、黄存新、
丁雨憧、王城强、陈旻、许谢铭、徐刘伟、姜喜亮、郭广妍、刘子琦、杨舒童、殷长志、王颖、郑丽、朱勇、岳世海、
张伟。
电 光 晶 体
1 范围
本文件规定了电光晶体的技术要求、检验规则以及产品的标识、包装、运输和贮存，描述了相应的
测量方法。
本文件适用于制备电光器件的电光晶体，其他应用领域的晶体材料参照使用。
4 技术要求
4.1 静态消光比
适用时，电光晶体的静态消光比应满足以下要求：
a） 铌酸锂（LN）的静态消光比应≥200∶1；
b） 磷酸二氘钾（DKDP）的静态消光比应≥200∶1；
c） 磷酸钛氧铷（RTP）的静态消光比应≥200∶1；
d） 磷酸氧钛钾（KTP）的静态消光比应≥300∶1；
e） 钽酸锂（LT）的静态消光比应≥200∶1；
f） β⁃相偏硼酸钡（β⁃BBO）的静态消光比应≥800∶1；
g） 硅酸镓镧（LGS）的静态消光比应≥400∶1；
h） 其他电光晶体可参考采用。
4.2 半波电压
适用时，电光晶体半波电压应符合以下要求：
a） LN 的半波电压≤3.0 kV（1 064 nm，横向调制）；
b） DKDP 的半波电压应≤7.0 kV（1 064 nm，纵向调制）；
c） RTP 的半波电压≤2.0 kV（1 064 nm，横向调制）；
d） KTP 的半波电压≤1.8 kV（1 064 nm，横向调制）；
e） LT 的半波电压≤1.0 kV（1 064 nm，横向调制）；
f） β⁃BBO 的半波电压≤9.5 kV（1 064 nm，横向调制）；
g） LGS 的半波电压≤7.2 kV（1 064 nm，横向调制）；
h） 电光晶体的半波电压实际值与理论值偏差应≤10%。
注： 电光晶体的长度（L）与晶体电场方向的厚度（d）比值为 5。
4.3 透射光谱范围
适用时，电光晶体的透射光谱范围应符合以下要求：
a） LN 的透射光谱范围应≥370 nm~5 000 nm；
b） DKDP 的透射光谱范围应≥200 nm~1 600 nm；
c） RTP 的透射光谱范围应≥340 nm~4 600 nm；
d） KTP 的透射光谱范围应≥350 nm~4 500 nm；
e） LT 的透射光谱范围应≥280 nm~5 000 nm；
f） β⁃BBO 的透射光谱范围应≥190 nm~3 500 nm；
g） LGS 的透射光谱范围应≥242 nm~3 200 nm；
h） 其他电光晶体的透射光谱范围应符合相关详细规范规定。
4.4 散射点
电光晶体单位体积（cm3）内直径<10 μm 的散射点应≤10 个、10 μm~20 μm 的散射点应≤4 个，不
应有直径>20 μm 的散射点。
4.5 光学均匀性
电光晶体的光学均匀性应≤5×10-5。
4.6 插入损耗
电光晶体的插入损耗应不大于规定的要求值。
4.7 电导率
适用时，电光晶体的电导率应符合以下要求：
KTP：≤5✕10-10 S/cm。
4.8 激光损伤阈值
适用时，常见电光晶体的激光损伤阈值应符合表 1 规定。
4.9 尺寸公差
适用时，尺寸公差应符合以下要求，尺寸标注示意图见图 1：
a） 当 L≥4 mm 时，尺寸应为 W +0.1-0.1 mm × H +0.1-0.1 mm × L+0.5-0.5 mm；
b） 当 0.2≤L<4 mm 时，尺寸应为 W +0.1-0.1 mm × H +0.1-0.1 mm × L+0.1-0.1 mm；
c） 当 L<0.2 mm 时，尺寸应为 W +0.1-0.1 mm × H +0.1-0.1 mm × L +0.03-0.03 mm。
其中，W 为电光晶体通光面的宽度，H 为电光晶体通光面的高度，L 为电光晶体通光方向的长度。
图 1 尺寸标注示意图
4.10 角度偏差
电光晶体的切割角度偏差应满足以下要求：
-0.5°≤Δθ≤0.5°，-0.5°≤Δϕ≤0.5°。
注： θ指晶体切割面的法线方向，与晶体的某一参考晶轴之间的夹角，Δθ为实际切割的 θ角与理论设计值的差值。
ϕ 指在垂直于参考晶轴的平面内，切割面法线的投影与某一参考晶轴之间的夹角；Δϕ 指实际切割的 ϕ 角与理
论设计值的差值。
4.11 平行度
电光晶体两个通光面的平行度应≤30″。
4.12 倒角
倒角的宽度≤0.2 mm，倒角的角度 40°≤Φ≤50°。
4.13 侧面垂直度
电光晶体的侧面垂直度应≤10′。
4.14 有效通光孔径
电光晶体通光表面扣除四周倒角后的可用面积与整个通光面面积的比值为有效通光孔径，其应≥
85%。
4.15 单次透过波前畸变
电光晶体的单次透过波前畸变应≤λ/4@632.8 nm。
4.16 表面粗糙度
电光晶体的通光面的表面粗糙度 Ra≤1 nm；非通光面的表面粗糙度 Ra≤3.0 μm。
4.17 外观
电光晶体沿边缘向内侧方向延伸宽度（径向崩边）≤0.2 mm；沿边缘方向，崩口宽度之和≤0.5 mm；
角的崩裂≤0.2 mm。电光晶体元件表面疵病应符合表 2 要求。
5 测量方法
5.1 静态消光比
电光晶体的静态消光比测试应按 GB/T 11297.12-2012 的规定。
5.2 半波电压
5.2.1 测量原理
通过调整起偏器与检偏器的偏振方向，施加驱动电压使电光晶体的双折射发生变化，进而导致输
出光功率变化，当输出光功率从最小变为最大时，对应的电压变化量即为半波电压。
5.2.2 测量仪器
激光光源、起偏器、检偏器、激光功率计、驱动电源。
5.2.3 测量步骤
测量步骤如下：
a） 按图 2 连接相关仪器，将电光晶体接入光路，接入驱动电源，打开设备预热 10 min；
b） 调节起偏器与检偏器偏振方向平行，使激光功率计显示数值最大，固定起偏器；
c） 旋转检偏器偏振方向与起偏器垂直，电光晶体未加电压的消光状态，此时光强最小，激光功率
计记录的光功率为 P1；
d） 保持光路系统不变，打开驱动电源的高压输出开关，缓慢升高驱动电源的输出电压至输出光
功率最大，激光功率计记录的光功率为 P0，驱动电源记录的输出电压 V0即为半波电压；
e） 测试 5 次取平均值，测试间隔时间由相关详细规范规定。
5.3 透射光谱范围
电光晶体的透射光谱范围测量方法按 GB/T 22453-2025 的规定。
5.4 散射点
电光晶体的散射点测量方法按 GB/T 22452-2025 的规定。
5.5 光学均匀性
电光晶体的光学均匀性测试方法按 GB/T 22452-2025 的规定。
5.6 插入损耗
5.6.1 测量原理
插入损耗指电光晶体引入光路后，输出光功率与输入光功率的比值，插入损耗见公式（1）：
5.6.2 测量仪器
激光光源、光功率计、偏振控制器。
5.6.3 测量步骤
测量步骤如下：
a） 按图 3 连接测试系统：
b） 调整光路同轴度，确保光斑完全覆盖晶体通光面；
c） 放入样品，测量入射光功率 Pin和出射光功率 Pout，每个波长点测量 3 次，取平均值；
d） 将 Pin、Pout代入公式（1）计算可得插入损耗。
5.7 电导率
电光晶体的电导率测量方法按 GB/T 31838.2-2019 的规定。
5.8 激光损伤阈值
电光晶体的激光损伤阈值测量方法按 GB/T 16601.2-2017 的规定。
5.9 尺寸公差
电光晶体的尺寸公差的测量方法按 GB/T 22452-2025 的规定。
5.10 角度偏差
电光晶体的角度偏差的测量方法按 GB/T 22452-2025 的规定。
5.11 平行度
电光晶体的平行度的测量方法按 GB/T 22452-2025 的规定。
5.12 倒角
电光晶体的倒角的测量方法按 GB/T 22452-2025 的规定。
5.13 侧面垂直度
电光晶体的侧面垂直度的测量方法按 GB/T 22452-2025 的规定。
5.14 有效通光孔径
电光晶体的有效通光孔径的测量方法按 GB/T 22452-2025 的规定。
5.15 单次透过波前畸变
电光晶体的单次透过波前畸变的测量方法按 GB/T 11297.1-2017 的规定。
5.16 表面粗糙度
电光晶体的表面粗糙度的测量方法按 GB/T 22452-2025 的规定。
5.17 外观
电光晶体的崩边、崩口及崩裂、表面疵病的测量方法按 GB/T 22452-2025 的规定。
6 检验规则
6.1 检验分类
检验分为出厂检验与型式检验，检验项目见表 3。
6.2 出厂检验
6.2.1 产品需经生产厂质量检测部门检验合格，并附有合格证后方可出厂。
6.2.2 出厂检验项目应按表 3 所列出厂检验项目进行检验。
6.2.3 抽样方案：每一件产品出厂前都应按表 3 所列出厂检验项目进行检验。
6.3 型式检验
6.3.1 检验项目
按表 3 所列型式检验项目进行检验。
6.3.2 批的组成
以同一加工工艺条件制成的产品为一批。
6.3.3 抽样
在出厂检验合格的产品中随机抽取 3 件；如果产品数量不足 3 件，则全部抽取。
6.3.4 型式检验条件
在保证产品质量的前提下，正常生产时，每 6 个月至少进行 1 次型式检验；有下列情况之一时，也
应进行型式检验：
a） 新产品投产时；
b） 制备工艺有较大改变，可能影响产品质量时；
c） 出厂检验结果与最近一次型式检验结果有差异时；
d） 停产半年以上的；
e） 客户要求进行试验的；
f） 质检部门要求进行的情况。
6.......
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