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GB/T 5252-2020 相关标准英文版PDF

标准号码价格美元第2步(购买)交付天数标准名称
GB/T 5252-2020 189 GB/T 5252-2020 [PDF]天数 <=3 锗单晶位错密度的测试方法
GB/T 5252-2006 359 GB/T 5252-2006 [PDF]天数 <=3 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
GB/T 5252-1985 279 GB/T 5252-1985 [PDF]天数 <=3 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
   
基本信息
标准编号 GB/T 5252-2020 (GB/T5252-2020)
中文名称 锗单晶位错密度的测试方法
英文名称 Test method for dislocation density of monocrystal germanium
行业 国家标准 (推荐)
中标分类 H21
国际标准分类 77.040
字数估计 10,170
发布日期 2020-06-02
实施日期 2021-04-01
发布机构 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会

GB/T 5252-2020 (Test method for dislocation density of germanium single crystal) ICS 77.040 H21 中华人民共和国国家标准 代替GB/T 5252-2006 锗单晶位错密度的测试方法 2020-06-02发布 2021-04-01实施 国 家 市 场 监 督 管 理 总 局 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布 前言 本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T 5252-2006《锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法》。本标准与GB/T 5252-2006 相比,除编辑性修改外主要技术变化如下: ---修改了标准适用范围(见第1章,2006年版的第1章); ---增加了规范性引用文件(见第2章); ---修改了术语和定义(见第3章,2006年版的第2章); ---修改了方法原理的内容(见第4章,2006年版的第3章); ---将2006年版标准“试样制备”中的试剂材料修改为单独章节(见第5章,2006年版的第4章); ---修改了试样制备的要求(见第7章,2006年版的第4章); ---增加了直径110mm、130mm、150mm锗单晶的测试点位置(见8.3); ---增加了位错腐蚀坑计数的注意事项(见8.5); ---修改了试验数据处理的内容(见第9章,2006年版的第7章); ---以位错密度1000cm-2为分界值,修改了精密度(见第10章,2006年版的第9章); ---修改了试验报告包含的内容(见第11章,2006年版的第8章)。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本标准起草单位:有研光电新材料有限责任公司、北京国晶辉红外光学科技有限公司、国合通用测 试评价认证股份公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、广东 先导稀材股份有限公司、中锗科技有限公司、义乌力迈新材料有限公司。 本标准主要起草人:张路、冯德伸、马会超、普世坤、姚康、刘新军、郭荣贵、向清华、韦圣林、 黄洪伟文。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为: ---GB/T 5252-1985、GB/T 5252-2006。 锗单晶位错密度的测试方法 1 范围 本标准规定了锗单晶位错密度的测试方法。 本标准适用于{111}、{100}和{113}面锗单晶位错密度的测试,测试范围为0cm-2~100000cm-2。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T 8756 锗晶体缺陷图谱 GB/T 14264 半导体材料术语 3 术语和定义 GB/T 8756和GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。 4 方法原理 锗单晶中位错周围的晶格会发生畸变,当用某些化学腐蚀剂腐蚀晶体表面时,在晶体表面上的位错 露头处腐蚀速度较快,进而形成具有特定形状的腐蚀坑。在显微镜下观察并按一定规则统计这些具有 特定形状的腐蚀坑,单位视场面积内的腐蚀坑个数即为位错密度。 5 试剂和材料 除非另有说明,测试分析中仅使用确认为分析纯及以上的试剂,所用水的电阻率不小于12MΩ·cm。 5.1 铁氰化钾[K3Fe(CN)6],质量分数不小于99%。 5.2 氢氧化钾(KOH),质量分数不小于85%。 5.3 氢氟酸(HF),质量分数不小于40%。 5.4 硝酸(HNO3),质量分数为65%~68%。 5.5 过氧化氢(H2O2),质量分数不小于30%。 5.6 硝酸铜溶液:质量分数为10%,用质量分数不小于99%的Cu(NO3)2 配制。 5.7 抛光液:HF、HNO3 的混合液,体积比为1∶(1~3)。 5.8 腐蚀液A:称取铁氰化钾80g、氢氧化钾120g置于烧杯中,用1000mL水溶解,混匀。 5.9 腐蚀液B:HF、HNO3 的混合液,体积比为1∶4。 5.10 腐蚀液C:HF、HNO3、10%Cu(NO3)2 溶液的混合液,体......

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