| 标准编号 | JJG 48-2004 (JJG48-2004) | | 中文名称 | 硅单晶电阻率标准样片 | | 英文名称 | Verification Regulation of Standard Slice of Single Crystal Silicon Resistivity | | 行业 | 计量行业标准 | | 中标分类 | A56 | | 国际标准分类 | 17.220 | | 字数估计 | 21,235 | | 发布日期 | 2004-09-21 | | 实施日期 | 2005-03-21 | | 旧标准 (被替代) | JJG 48-1990 | | 引用标准 | 2004 technical regulations issued by national metrology (industrial measurement 2005 Volume 15, Issue 1) | | 标准依据 | 2004 technical regulations issued by national metrology (industrial measurement 2005 Volume 15, Issue 1) | | 发布机构 | 国家质量监督检验检疫总局 | JJG 48-2004
Verification Regulation of Standard Slice of Single Crystal Silicon Resistivity
中华人民共和国国家计量检定规程
硅单晶电阻率标准样片
2004-09-21发布
2005-03-21实施
国 家 质 量 监 督 检 验 检 疫 总 局 发 布
硅单晶电阻率标准样片
检 定 规 程
代替JJG48-1990
本规程经国家质量监督检验检疫总局于2004年09月21日批准并自
2005年03月21日施行。
归 口 单 位:全国无线电计量技术委员会
主要起草单位:中国计量科学研究院
参加起草单位:广州半导体材料研究所
本规程委托全国无线电计量技术委员会负责解释
本规程主要起草人:
鲁效明 (中国计量科学研究院)
参加起草人:
谢鸿波 (广州半导体材料研究所)
目 录
1 范围 (1)
2 概述 (1)
3 计量性能要求 (1)
3.1 标准样片的电阻率的测量范围 (1)
3.2 标准样片的标称值 (1)
3.3 标准样片应具备的参数及性能要求 (1)
4 通用技术要求 (2)
5 计量器具控制 (3)
5.1 检定条件 (3)
5.2 检定项目及检定方法 (5)
5.3 检定结果的处理 (7)
5.4 检定周期 (8)
附录A 硅单晶电阻率标准样片温度修正系数表 (9)
附录B 硅单晶电阻率标准样片的清洗方法 (10)
附录C 硅单晶电阻率标准样片检定原始记录 (11)
附录D 硅单晶电阻率标准样片检定证书及检定结果通知书内页格式 (12)
附录E 硅单晶电阻率标准样片检定结果的计算与处理 (13)
附录F 计算硅单晶电阻率标准样片的各种修正系数表 (15)
附录G 不同直径的硅单晶电阻率标准样片距边缘6mm处的修正系数表(Feg) (16)
硅单晶电阻率标准样片检定规程
1 范围
本规程适用于硅单晶电阻率标准样片的首次检定、后续检定和使用中的检验。
2 概述
硅单晶电阻率标准样片 (以下简称标准样片)是用高纯多晶硅,经过单晶制备,再
经中子嬗变掺杂等多种工艺制造的,具有一定几何尺寸的实物标准。由不确定度已知的
标准装置,对该实物标准的电阻率及其它指标给予标定,使用时以标准样片为准,对相
关参数进行量值传递。
3 计量性能要求
3.1 标准样片的电阻率的测量范围
电阻率的测量范围0.005Ω·cm~5000Ω·cm。
3.2 标准样片的标称值
标准样片的标称值应符合下述19个规格中的一个,见表1:
表1 标准样片的标称值 Ω·cm
电阻率标称值
0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5
10 25 75 180 250 500 1000 2000 5000
3.3 标准样片应具备的参数及性能要求
3.3.1 标准样片,除具有电阻率标称值和实际值外,还应有下列参数或数据:导电类
型、掺杂元素、直径值、厚度值和使用要求。
3.3.2 对不同级别的标准样片,各项指标的要求见表2。
表2 标准样片的各项指标
样片级别合格指标
项 目
国家级标准样片 一级标准样片 二级标准样片
直 径 (40~75)±1%mm (40~75)±1%mm (25~100)±2%mm
厚 度 W≤1.0mm W≤1.0mm W≤1.0m......
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