SJH 20186-1992 相关标准英文版PDF
| 标准号码 | 价格美元 | 第2步(购买) | 交付天数 | 标准名称 |
| SJ 20186-1992 | 389 | SJ 20186-1992 | [PDF]天数 <=3 | 半导体分立器件2CW2970～3015型硅电压调整二极管详细规范 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | SJ 20186-1992 (SJ20186-1992) |
| 中文名称 | 半导体分立器件2CW2970～3015型硅电压调整二极管详细规范 |
| 英文名称 | Semiconductor discrete device Detail specification for silicon voltage regulator diodes for types 2CW2970~3015 |
| 行业 | 电子行业标准 |
| 中标分类 | L41 |
| 字数估计 | 11,174 |
| 发布日期 | 11/19/1992 |
| 实施日期 | 5/1/1993 |
| 引用标准 | GB 6571-86; GB 7581-87; GJB 33-85; GJB 128-86 |
| 范围 | 本规范规定了2CW2970～3015型的B型(标准极性)、RB型(反极性)硅电压调整二极管(以下简称器件)的详细要求。该器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定, 提供产品保证的三个等级(GP, GT和GCT级)。 |
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