SJ/T 2658.1-2015 相关标准英文版PDF
| 标准号码 | 价格美元 | 第2步(购买) | 交付天数 | 标准名称 |
| SJ/T 2658.1-2015 | 149 | SJ/T 2658.1-2015 | [PDF]天数 <=3 | 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分：总则 |
| SJ 2658.1-1986 | 199 | SJ 2658.1-1986 | [PDF]天数 <=3 | 半导体红外发光二极管测试方法.总则 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | SJ/T 2658.1-2015 (SJ/T2658.1-2015) |
| 中文名称 | 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分：总则 |
| 英文名称 | Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode. Part 1: General |
| 行业 | 电子行业标准 (推荐) |
| 中标分类 | L53 |
| 国际标准分类 | 31.08 |
| 字数估计 | 4,471 |
| 发布日期 | 2015-10-10 |
| 实施日期 | 2016-04-01 |
| 旧标准 (被替代) | SJ 2658.1-1986 |
| 标准依据 | 中华人民共和国工业和信息化部公告 2015年 第63号;行业标准备案公告2015年第12号(总第192号) |
| 发布机构 | 工业和信息化部 |
| 范围 | 本部分规定了对半导体红外发射二极管进行光电参数测量的一般要求, 包括测试仪表的误差范围、电源的性能要求以及测试环境条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。 |
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