SJ/T 2658.9-2015 相关标准英文版PDF
| 标准号码 | 价格美元 | 第2步(购买) | 交付天数 | 标准名称 |
| SJ/T 2658.9-2015 | 149 | SJ/T 2658.9-2015 | [PDF]天数 <=3 | 半导体红外发射二极管测量方法 第9部分：辐射强度空间分布和半强度角 |
| SJ 2658.9-1986 | 199 | SJ 2658.9-1986 | [PDF]天数 <=3 | 半导体红外发光二极管测试方法.辐射强度空间分布和半强度角的测试方法 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | SJ/T 2658.9-2015 (SJ/T2658.9-2015) |
| 中文名称 | 半导体红外发射二极管测量方法 第9部分：辐射强度空间分布和半强度角 |
| 英文名称 | Measuring method for semiconductor infiared-emitting diode. Part 9: Spatial distribution of radiant intensity and half-intensity angle |
| 行业 | 电子行业标准 (推荐) |
| 中标分类 | L53 |
| 国际标准分类 | 31.08 |
| 字数估计 | 5,550 |
| 发布日期 | 2015-10-10 |
| 实施日期 | 2016-04-01 |
| 旧标准 (被替代) | SJ 2658.9-1986 |
| 引用标准 | GB/T 2900.65-2004; GB/T 15651-1995; SJ/T 2658.1; SJ/T 2658.8; CIE 127-1997 |
| 标准依据 | 中华人民共和国工业和信息化部公告 2015年 第63号;行业标准备案公告2015年第12号(总第192号) |
| 发布机构 | 工业和信息化部 |
| 范围 | 本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射强度空间分布和半强度角的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。 |
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