SJ/T 11586-2016 相关标准英文版PDF
| 标准号码 | 价格美元 | 第2步(购买) | 交付天数 | 标准名称 |
| SJ/T 11586-2016 | 279 | SJ/T 11586-2016 | [PDF]天数 <=3 | 半导体器件 10keV低能X射线总剂量辐射试验方法 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | SJ/T 11586-2016 (SJ/T11586-2016) |
| 中文名称 | 半导体器件 10keV低能X射线总剂量辐射试验方法 |
| 英文名称 | 10keV X-ray total dose radiation testing method of semiconductor devices |
| 行业 | 电子行业标准 (推荐) |
| 中标分类 | L40 |
| 字数估计 | 12,150 |
| 发布日期 | 2016-01-15 |
| 实施日期 | 2016-06-01 |
| 标准依据 | Ministry of Industry and Information Technology Bulletin 2016 No.3 |
| 发布机构 | 工业和信息化部 |
| 范围 | 本标准规定了使用X射线辐射仪（光子平均能量约10keV，最大光子能量不超过100keV）对半导体器件和电路进行电离辐射效应试验的方法和程序。适用于半导体器件的总剂量电离辐照评估试验。 |
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