SJ/T 11849-2022 相关标准英文版PDF
| 标准号码 | 价格美元 | 第2步(购买) | 交付天数 | 标准名称 |
| SJ/T 11849-2022 | 379 | SJ/T 11849-2022 | [PDF]天数 <=4 | 半 导 体 分 立 器 件 3DG3500、3DG3501 型 NPN 硅高频小功率晶体管详细规范 |
| 基本信息 | |
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| 标准编号 | SJ/T 11849-2022 (SJ/T11849-2022) |
| 中文名称 | 半 导 体 分 立 器 件 3DG3500、3DG3501 型 NPN 硅高频小功率晶体管详细规范 |
| 英文名称 | (Semiconductor discrete devices 3DG3500, 3DG3501 type NPN silicon high-frequency low-power transistor detailed specification) |
| 行业 | 电子行业标准 (推荐) |
| 字数估计 | 15,188 |
| 发布日期 | 2022-09-30 |
| 实施日期 | 2023-01-01 |
| 发布机构 | 工业和信息化部 |
| 范围 | 本文件规定了 3DG3500、3DG3501 产品的外形、极限值、电特性及考核要求。 |
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