| 标准编号 | YS/T 26-2016 (YS/T26-2016) | | 中文名称 | 硅片边缘轮廓检验方法 | | 英文名称 | Test methods for edge contour of silicon wafers | | 行业 | 有色冶金行业标准 (推荐) | | 中标分类 | H21 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 10,169 | | 发布日期 | 2016-07-11 | | 实施日期 | 2017-01-01 | | 旧标准 (被替代) | YS/T 26-1992 | | 标准依据 | 工业和信息化部公告(2016年第37号);行业标准备案公告2016年第11号(总第203号);工业和信息化部公告2017年第23号 | | 发布机构 | 工业和信息化部 | | 范围 | 本标准规定了硅片边缘轮廓（包含切口）的检验方法。 | YS/T 26-2016
Test methods for edge contour of silicon wafers
ICS 77.040
H21
中华人民共和国有色金属行业标准
代替YS/T 26-1992
硅片边缘轮廓检验方法
2016-07-11发布
2017-01-01实施
中华人民共和国工业和信息化部 发 布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替YS/T 26-1992《硅片边缘轮廓检验方法》。与YS/T 26-1992相比,本标准主要变动
如下:
---增加了规范性引用文件、术语和定义、干扰因素等;
---增加了非破坏性检验方法B、方法C。
本标准由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)提出并归口。
本标准起草单位:洛阳单晶硅集团有限责任公司、有研半导体材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份
有限公司。
本标准主要起草人:田素霞、李战国、苗利刚、焦二强、安瑞阳、邵成波、王文卫。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---YS/T 26-1992。
硅片边缘轮廓检验方法
1 范围
本标准规定了硅片边缘轮廓(包含切口)的检验方法。
本标准适用于检验倒角硅片的边缘轮廓(包含切口),砷化镓等其他材料晶片边缘轮廓的检验可参
照本标准执行。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 14264 半导体材料术语
3 术语和定义
GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。
4 方法提要
本标准规定了方法A、B、C三种测试方法,其测试原理分别如下:
a) 方法A:沿硅片径向划开形成剖面,借助光学比较仪或投影显微镜,形成一个硅片边缘区域的
剖面聚焦图形,将图形与边缘轮廓模板坐标图比较,确定边缘轮廓是否合格。本方法是破坏性
的,限于圆周上离散点的检查,包括参考面,常用于直径不大于150mm硅片参考面倒角边缘
轮廓的检测;
b) 方法B:将硅片放置在平行光路下,硅片边缘投影到显示屏上,边缘轮廓的图像与边缘轮廓模
板坐标图比较,确定边缘轮廓是否合格。本方法是非破坏性的,可检查除了参考面和切口外硅
片轮廓上所有的点,常用于直径不大于200mm硅片除参考面和切口外边缘轮廓的检测;
c) 方法C:将硅片放置在光源下,光源照在硅片边缘,CCD相机将硅片边缘(不包括参考面)或切
口的轮廓形状的图像导入电脑,通过专用分析软件对检测图像进行分析,然后将轮廓形状的图
像和测试结果显示在显示屏上,测试原理如图1所示。本方法是无接触、非破坏性的,可以测
试硅片边缘和切口的轮廓形状,并能测量出轮廓尺寸。该方法操......
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