YS/T 679-2018 相关标准英文版PDF
| 标准号码 | 价格美元 | 第2步(购买) | 交付天数 | 标准名称 |
| YS/T 679-2018 | 599 | YS/T 679-2018 | [PDF]天数 <=5 | 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 表面光电压法 |
| YS/T 679-2008 | 599 | YS/T 679-2008 | [PDF]天数 <=3 | 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | YS/T 679-2018 (YS/T679-2018) |
| 中文名称 | 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 表面光电压法 |
| 英文名称 | Test methods for minority carrier diffusion length in extrinsic semiconductors. Surface photovoltage method |
| 行业 | 有色冶金行业标准 (推荐) |
| 中标分类 | H21 |
| 国际标准分类 | 77.040 |
| 字数估计 | 26,256 |
| 发布日期 | 2018-10-22 |
| 实施日期 | 2019-04-01 |
| 旧标准 (被替代) | YS/T 679-2008 |
| 引用标准 | GB/T 1551; GB/T 1553; GB/T 6616; GB/T 6618; GB/T 6624; GB/T 11446.1-2013; GB/T 14264; GB/T 14847; SEMI MF391-0310 |
| 标准依据 | 工业和信息化部公告2018年第54号 |
| 发布机构 | 工业和信息化部 |
| 范围 | 本标准规定了非本征半导体材料中少数载流子扩散长度的测试方法，包含稳态光电压法、恒定光通量法和数字示波器记录法。本标准适用于非本征半导体材料，如硅单晶片或相同导电类型重掺衬底上沉积的、已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测试，测试样品(外延层)的厚度大于扩散长度的4倍。本标准可测试样品的电阻率和载流子寿命的极限尚未确定，但已对电阻率0.1 Ω·cm～50 Ω·cm、载流子寿命短至2 ns的P型和N型硅样品进行了测试。本标准还可通过测试扩散长度后计算出硅中的铁含量，具体见附录A。本标准也可用于测试其 |
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