| 标准编号 | YS/T 719-2009 (YS/T719-2009) | | 中文名称 | 平面磁控溅射靶材 光学薄膜用硅靶 | | 英文名称 | Flat magneting sputtering target. Silicon target for optical coating | | 行业 | 有色冶金行业标准 (推荐) | | 中标分类 | H63 | | 国际标准分类 | 77.150.99 | | 字数估计 | 6,696 | | 发布日期 | 2009-12-04 | | 实施日期 | 2010-06-01 | | 引用标准 | GB/T 1551; GB/T 2040; GB/T 5121; GB/T 5231; GB/T 12963 | | 标准依据 | 工科[2009]第66号 | | 发布机构 | 工业和信息化部 | | 范围 | 本标准规定了平面磁控溅射光学薄膜用硅靶材的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及订货单(或合同)内容。本标准适用于平面磁控溅射光学薄膜用硅靶材。 | YS/T 719-2009
Flat magneting sputtering target.Silicon target for optical coating
ICS ７７．１５０．９９
H６３
中华人民共和国有色金属行业标准
YS／T７１９-２００９
平面磁控溅射靶材
光学薄膜用硅靶
２００９-１２-０４发布
２０１０-０６-０１实施
中华人民共和国工业和信息化部 发 布
前言
本标准由全国有色金属标准化技术委员会提出并归口。
本标准负责起草单位：利达光电股份有限公司。
本标准主要起草人：李智超、杨太礼、付勇、段玉玲、张向东、赵伦。
YS／T７１９-２００９
平面磁控溅射靶材
光学薄膜用硅靶
１ 范围
本标准规定了平面磁控溅射光学薄膜用硅靶材的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存
及订货单（或合同）内容。
本标准适用于平面磁控溅射光学薄膜用硅靶材。
２ 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有
的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究
是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T １５５１ 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法
GB/T ２０４０ 铜及铜合金板材
GB/T ５１２１（所有部分） 铜及铜合金化学分析方法
GB/T ５２３１ 加工铜及铜合金化学成分和产品形状
GB/T １２９６３ 硅多晶
３ 术语和定义
下列术语和定义适用于本标准。
硅板与背板之间的实际接合面积占应接合面积的百分比。
４ 要求
４．１ 材质
铜板（背板）和硅板。
４．２ 化学成分
硅板的化学成分应由供需双方商定；铜板的牌号及化学成分符合GB/T ５２３１的规定。
４．３ 靶材的尺寸及其允许偏差
靶材尺寸及其允许偏差由供需双方协商，应符合双方签订的技术图样。
４．４ 表面状况
靶材表面粗糙度及平面度由供需双方协商。
４．５ 外观质量
硅板和铜板的外观质量应分别符合GB/T １２９６３和GB/T ２０４０的规定。
４．６ 电阻率
硅板的......
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