搜索结果: GB/T 11499-2026, GB/T11499-2026, GBT 11499-2026, GBT11499-2026
| 标准编号 | GB/T 11499-2026 (GB/T11499-2026) | | 中文名称 | 半导体分立器件文字符号 | | 英文名称 | Letter symbols for discrete semiconductor devices | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L40 | | 国际标准分类 | 31.080.01 | | 字数估计 | 14,157 | | 发布日期 | 2026-03-31 | | 实施日期 | 2026-10-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 10651-2008 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会 | GB/T 11499-2026: 半导体分立器件文字符号
ICS 31.080.01
CCSL40
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 11499-2001
半导体分立器件文字符号
2026-03-31发布
2026-10-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
目次
前言 Ⅲ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 总体要求 2
5 整流二极管 2
6 信号、开关和调整二极管 3
6.1 下标含义 3
6.2 信号和开关二极管文字符号 4
6.3 电压基准二极管和电压调整二极管文字符号 4
6.4 电流调整二极管文字符号 5
7 晶闸管 5
7.1 下标含义 5
7.2 文字符号 6
8 双极型晶体管 8
8.1 下标含义 8
8.2 双极型晶体管文字符号 9
8.3 配对双极型晶体管文字符号 14
8.4 电阻偏置型晶体管文字符号 14
9 场效应晶体管 14
9.1 下标含义 14
9.2 场效应晶体管文字符号 14
9.3 配对场效应管文字符号 18
9.4 集成反向二极管的N沟道场效应晶体管文字符号 18
9.5 砷化镓微波场效应晶体管文字符号 19
9.6 MOS场效应晶体管文字符号 19
10 绝缘栅双极晶体管(IGB T) 19
10.1 下标含义 19
10.2 绝缘栅双极晶体管文字符号 20
11 绝缘功率半导体器件 22
11.1 下标含义 22
11.2 文字符号 22
12 微波二极管和晶体管(微波应用) 23
12.1 变容二极管文字符号 23
12.2 阶跃二极管文字符号 23
12.3 混频二极管文字符号 24
12.4 检波二极管文字符号 24
12.5 体效应二极管文字符号 25
12.6 PIN二极管文字符号 26
12.7 噪声二极管文字符号 26
12.8 双极型晶体管文字符号 27
12.9 场效应晶体管文字符号 28
附录A(资料性) 主要技术内容变化 30
参考文献 33
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件代替GB/T 11499-2001《半导体分立器件文字符号》,与GB/T 11499-2001相比,除结构
调整和编辑性改动外,主要技术变化见附录A。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
本文件起草单位:河北北芯半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、华东光电
集成器件研究所、河北科技大学、石家庄天林石无二电子有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研
究所、安徽安芯电子科技股份有限公司、西安电力电子技术研究所有限公司、西安电子科技大学、天津大
学、中国人民解放军陆军工程大学石家庄校区、盐城矽润半导体有限公司、浙江蓝洋智能科技有限公司。
本文件主要起草人:刘涛、王文婧、王宇涛、曹耀龙、赵宇洋、迟雷、赵玉玲、蔚红旗、吴维丽、李虹、
张小明、安启跃、焦龙飞、桂明洋、彭浩、席善斌、胡松祥、安伟、周晓黎、张文华、陈龙坡、王冲、郑雪峰、
王超、孙宏军、杨洁、贾林、陈亚洲、胡小锋、蒋武安、江涛。
本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为:
---1989年首次发布为GB/T 11499-1989,2001年第一次修订;
---本次为第二次修订。
半导体分立器件文字符号
1 范围
本文件界定了半导体分立器件包括整流二极管,信号、开关和调整二极管,晶闸管,双极型晶体
管,场效应晶体管,绝缘栅双极晶体管,绝缘功率半导体器件和微波应用中的二极管和晶体管的文字
符号。
本文件适用于半导体分立器件有关标准和产品技术资料的编写。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文
件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于
本文件。
GB/T 17573-2026 半导体器件 总则
3 术语和定义
GB/T 17573-2026界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
散热表面或底板与任何绝缘的电路元件之间含有不可或缺的电气绝缘体的功率半导体器件。
3.1.1
底板 baseplate
封装的一部分,其冷却表面将热量从内部传递到外部。
3.1.2
主端子 mainterminal
功率电路......
|