GB/T 32814-2016 相关标准英文版PDF

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GB/T 32814-2016	英文版	279	GB/T 32814-2016	[PDF]天数 <=3	硅基MEMS制造技术　基于SOI硅片的MEMS工艺规范	GB/T 32814-2016	有效

基本信息
标准编号	GB/T 32814-2016 (GB/T32814-2016)
中文名称	硅基MEMS制造技术　基于SOI硅片的MEMS工艺规范
英文名称	Silicon-based MEMS fabrication technology -- Specification for criterion of the SOI wafer based MEMS process
行业	国家标准 (推荐)
中标分类	L55
国际标准分类	31.200
字数估计	14,173
发布日期	2016-08-29
实施日期	2017-03-01
标准依据	国家标准公告2016年第14号
发布机构	中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

GB/T 32814-2016 Silicon-based MEMS fabrication technology - Specification for criterion of the SOI wafer based MEMS process ICS 31.200 L55 中华人民共和国国家标准硅基 MEMS制造技术基于SOI硅片的 MEMS工艺规范 2016-08-29发布 2017-03-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会发布目次前言 Ⅰ 1 范围 1 2 规范性引用文件 1 3 术语和定义 1 4 工艺流程 1 4.1 概述 1 4.2 硅片清洗 2 4.3 掩膜制备 2 4.4 干法刻蚀 4 4.5 结构释放 5 4.6 硅片去掩膜 7 5 工艺加工能力 7 5.1 工艺能力要求 7 5.2 工艺稳定性要求 8 6 工艺保障条件要求 8 6.1 人员要求 8 6.2 环境要求 8 6.3 设备要求 8 7 原材料及辅助材料要求 9 8 安全与环境操作要求 9 8.1 安全 9 8.2 化学试剂 10 8.3 排放 10 9 检验 10 9.1 总则 10 9.2 关键工艺检验 10 9.3 最终检验 11 前言本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。本标准由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)提出并归口。本标准主要起草单位:西北工业大学、中机生产力促进中心。本标准主要起草人:苑伟政、谢建兵、李海斌、乔大勇、马志波、常洪龙、刘伟。硅基 MEMS制造技术基于SOI硅片的 MEMS工艺规范 1 范围本标准规定了采用SOI硅片进行 MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和质量检验要求。本标准适用于硅基 MEMS制造技术中基于SOI硅片的 MEMS器件的加工和质量检验。 2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T 26111 微机电系统(MEMS)技术术语 GB 50073 洁净厂房设计规范 3 术语和定义 GB/T 26111界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 绝缘体上硅 silicon-on-insulator;SOI 在两层硅中间引入一层氧化层,形成一种“硅-二氧化硅-硅”的三明治结构的技术。其中顶层硅称为器件层(devicelayer),底层硅称为衬底层(handlelayer),二氧化硅层称为埋层(buriedlayer)。 3.2 释放 releasing 使 MEMS结构中的可动部分与其余部分分离,使其可动的过程。 3.3 ICP)刻蚀,有时也称作ICP刻蚀。 3.4 footing效应 footingeffect SOI硅片在进行深反应离子刻蚀的过程中,当刻蚀到达......

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