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| 标准编号 | GB/T 36357-2018 (GB/T36357-2018) | | 中文名称 | 中功率半导体发光二极管芯片技术规范 | | 英文名称 | Technical specification for middle power light-emitting diode chips | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L53 | | 国际标准分类 | 31.260 | | 字数估计 | 18,159 | | 发布日期 | 2018-06-07 | | 实施日期 | 2019-01-01 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 36357-2018
Technical specification for middle power light-emitting diode chips
ICS 31.260
L53
中华人民共和国国家标准
中功率半导体发光二极管芯片技术规范
2018-06-07发布
2019-01-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
中国国家标准化管理委员会 发 布
目次
前言 Ⅰ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 要求 1
4 检验方法 3
5 检验规则 5
6 包装、运输和储存 9
附录A(规范性附录) 中功率半导体发光二极管芯片的目检 11
附录B(规范性附录) 人体模式和机器模式的静电放电敏感度分级及标志 14
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由中华人民共和国工业和信息化部(电子)归口。
本标准起草单位:中国电子技术标准化研究院、厦门市三安光电科技有限公司、中国电子科技集团
公司第十三研究所。
本标准主要起草人:刘秀娟、赵英、张戈、蔡伟智、张瑞霞、赵敏、张晨朝。
中功率半导体发光二极管芯片技术规范
1 范围
本标准规定了中功率半导体发光二极管芯片产品(以下简称芯片)的技术要求、检验方法、检验规
则、包装、运输和储存等。
本标准适用于中功率半导体发光二极管芯片。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 2423.4-2008 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验Db:交变湿热(12h+
12h循环)
GB/T 2423.15-2008 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验Ga和导则:稳态加
速度
GB/T 2423.22-2012 环境试验 第2部分:试验方法 试验N:温度变化
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SJ/T 11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法
IEC 60749-19:2010 半导体器件 机械和气候试验方法 第19部分:芯片剪切强度(Semicon-
IEC 60749-22:2002 半导体器件 机械和气候试验方法 第22部分:键合强度(Semiconductor
3 要求
3.1 通则
3.1.1 优先顺序
芯片应符合本标准和相关详细规范的要求。本标准的要求与相关详细规范不一致时,应以相关详
细规范为准。
3.1.2 对详细规范的引用
本标准中使用“按规定......
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