GB/T 36474-2018 相关标准英文版PDF

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GB/T 36474-2018	英文版	359	GB/T 36474-2018	[PDF]天数 <=4	半导体集成电路　第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法	GB/T 36474-2018	有效

基本信息
标准编号	GB/T 36474-2018 (GB/T36474-2018)
中文名称	半导体集成电路　第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法
英文名称	Semiconductor integrated circuit -- Measuring methods for double data rate 3 synchronous dynamic random-access memory (DDR3 SDRAM)
行业	国家标准 (推荐)
中标分类	L56
国际标准分类	31.200
字数估计	18,192
发布日期	2018-06-07
实施日期	2019-01-01
发布机构	国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会

GB/T 36474-2018 Semiconductor integrated circuit--Measuring methods for double data rate 3 synchronous dynamic random access memory(DDR3 SDRAM) ICS 31.200 L56 中华人民共和国国家标准半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3SDRAM)测试方法 memory(DDR3SDRAM) 2019-01-01实施国家市场监督管理总局中国国家标准化管理委员会发布目次前言 Ⅲ 1 范围 1 2 规范性引用文件 1 3 术语和定义 1 4 一般要求 2 4.1 通则 2 4.2 功能验证的一般要求 2 4.3 电参数测试的测试向量 2 4.4 电参数测试的示波器 2 4.5 测试环境 2 5 详细要求 3 5.1 功能验证 3 5.2 时钟 3 5.3 读数据参数 6 5.4 写数据参数 8 5.5 电源电流(IDD)/数据管脚的电源电流(IDDQ) 11 前言本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。本标准由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。本标准起草单位:中国电子技术标准化研究院、西安紫光国芯半导体有限公司、上海高性能集成电路设计中心、武汉芯动科技有限公司、成都华微电子科技有限公司。本标准主要起草人:孔宪伟、殷梦迪、尹萍、巨鹏锦、高专、刘建明。半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3SDRAM)测试方法 1 范围本标准规定了半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3SDRAM)功能验证和电参数测试的方法。本标准适用于半导体集成电路领域中第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3SDRAM) 功能验证和电参数测试。 2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路 3 术语和定义下列术语和定义适用于本文件。 3.1 被测器件 deviceundertest;DUT 测试过程中的被测对象。 3.2 集成化的集成电路测试专用系统。自动测试系统配有多路电源,数字测试通道及专用的测试软件开发环境。 3.3 工程评估板 evaluationboard;EVB 用于功能验证的测试用工程评估板。工程评估板支持处理器基本功能和扩展功能,配备输入输出端口,并留有必要的测试接口。 3.4 双倍数据速率doubledata......

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