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| 标准编号 | GB/T 40109-2021 (GB/T40109-2021) | | 中文名称 | | | 英文名称 | Surface chemical analysis - Secondary-ion mass spectrometry - Method for depth profiling of boron in silicon | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | G04 | | 字数估计 | 14,180 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 40109-2021
Surface chemical analysis - Secondary-ion mass spectrometry - Method for depth profiling of boron in silicon
ICS 71.040.40
CCSG04
中华人民共和国国家标准
表面化学分析 二次离子质谱
硅中硼深度剖析方法
(ISO 17560:2014,IDT)
2021-05-21发布
2021-12-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
目次
前言 Ⅲ
引言 Ⅳ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 符号和缩略语 1
4 原理 2
5 参考物质 2
5.1 用于校准相对灵敏度因子的参考物质 2
5.2 用于校准深度的参考物质 2
6 仪器 2
6.1 二次离子质谱仪 2
6.2 触针式轮廓仪 2
6.3 光学干涉仪 2
7 样品 2
8 步骤 2
8.1 二次离子质谱仪的调整 2
8.2 优化二次离子质谱仪的设定 3
8.3 进样 3
8.4 检测离子 3
8.5 样品检测 3
8.6 校准 4
9 结果表述 5
10 测试报告 5
附录A(资料性) 针式表面轮廓仪测试统计报告 6
参考文献 8
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件使用翻译法等同采用ISO 17560:2014《表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方
法》。
与本文件中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下:
---GB/T 20176-2006 表面化学分析 二次离子质谱 用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓
度(ISO 14237:2000,IDT)
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国微束分析标准化技术委员会(SAC/TC38)提出并归口。
本文件起草单位:中国电子科技集团公司第四十六研究所。
本文件主要起草人:马农农、何友琴、陈潇、张鑫、王东雪、李展平。
引 言
本文件为使用二次离子质谱(secondary-ionmassspectrometry,SIMS)对硅中硼定量深度剖析而
制定。
对于定量深度剖析,元素浓度和剖析深度的定标都是必不可少的。ISO 14237:2010中规定了硅中
硼浓度的测定方法,本文件中引用了该国际标准。国家标准GB/T 22461[2]中建立了表面化学分析领
域常规术语和谱学术语的词汇表,本文件中涉及的相关术语和词汇与之一致。
本文件适用于采用二次离子质谱法对单晶硅、多晶硅、非晶硅中硼元素进行深度剖析,及用触针式
表面轮廓仪或光学干涉仪进行深度定标。
表面化学分析 二次离子质谱
硅中硼深度剖析方法
1 范围
本文件描述了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中硼进行深度剖析的方法,以及用触针
式表面轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。
本文件适用于硼原子浓度范围1×1016atoms/cm3~1×1020atoms/cm3 的单晶硅、多晶硅或非晶
硅样品,溅射弧坑深度在50nm及以上。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文
件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于
本文件。
ISO 14237:2010 表面化学分析 二次离子质谱 用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度(Sur-
3 符号和缩略语
下列符号和缩略语适用于本文件。
Ci 第i个测试周期时,硼总原子浓度,用单位体积原子个数(atoms/cm3)表示
C10i 第i个测试周期时,硼10同位素的原子浓度,用单位体积原子个数(atoms/cm3)表示
C11i 第i个测试周期时,硼11同位素的原子浓度,用单位体积原子个数(atoms/cm3)表示
di 第i个测试周期时的深度,用微米(μm)或纳米(nm)表示
dt 弧坑的深度,用微米(μm)或纳米(nm)表示
I10i 第i个周期测试时,硼10同位素离子强度,用每秒计数(counts/s)表示
I11i 第i个测试周期时,硼11同位素离子强度,用每秒计数(counts/s)表示
ISii 第i个测试周期时,基体硅离子强度,用每秒计数(counts/s)表示
J10i 第i个测试周期时,硼10同位素离子与硅离子强度之比
J11i 第i个测试周期时,硼11同位素离子与硅离子强度之比
J......
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