首页 购物车 询价
www.GB-GBT.com 收录标准: 222397 (2026-05-14)

GB/T 40110-2021 相关标准英文版PDF

搜索结果: GB/T 40110-2021, GB/T40110-2021, GBT 40110-2021, GBT40110-2021
标准号码内文价格美元第2步(购买)交付天数标准名称详情状态
GB/T 40110-2021 英文版 494 GB/T 40110-2021 [PDF]天数 <=5 表面化学分析 全反射X射线荧光光谱法(TXRF)测定硅片表面元素污染 GB/T 40110-2021 有效
基本信息
标准编号 GB/T 40110-2021 (GB/T40110-2021)
中文名称
英文名称 Surface chemical analysis - Determination of surface elemental contamination on silicon wafers by total-reflection X-ray fluorescence (TXRF) spectroscopy
行业 国家标准 (推荐)
中标分类 G04
字数估计 26,219
发布机构 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会

GB/T 40110-2021 Surface chemical analysis - Determination of surface elemental contamination on silicon wafers by total-reflection X-ray fluorescence (TXRF) spectroscopy ICS 71.040.40 CCSG04 中华人民共和国国家标准 表面化学分析 全反射X射线荧光光谱法(TXRF) 测定硅片表面元素污染 (ISO 14706:2014,IDT) 2021-05-21发布 2021-12-01实施 国 家 市 场 监 督 管 理 总 局 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布 目次 前言 Ⅲ 引言 Ⅳ 1 范围 1 2 规范性引用文件 1 3 术语和定义 1 4 缩略语 2 5 原理 2 6 仪器设备 2 7 试样制备及其测量环境 2 8 校准参考物质 3 9 安全性 3 10 测量程序 3 11 结果表达 4 12 精密度 5 13 测试报告 5 附录A(资料性) 参考物质 6 附录B(资料性) 相对灵敏度因子 7 附录C(资料性) 参考物质制备 10 附录D(资料性) VPD-TXRF法 13 附录E(资料性) 掠射角设置 14 附录F(资料性) 国际实验室间试验结果 17 参考文献 20 前言 本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 本文件等同采用ISO 14706:2014《表面化学分析 全反射X射线荧光光谱法(TXRF)测定硅片表 面元素污染》。 与本文件中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下: ---GB/T 25915.1-2010 洁净室及相关受控环境 第1部分:空气洁净度等级(ISO 14644-1: 1999,IDT) 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国微束分析标准化技术委员会(SAC/TC38)提出并归口。 本文件起草单位:中国计量科学研究院、华南理工大学。 本文件主要起草人:王海、张艾蕊、王梅玲、任丹华、徐昕荣、范燕。 引 言 本文件是为了测量硅片表面元素污染的需要而制定的,它是在ASTMF1526、SEMIM33和基础半 (Ultra-CleanSociety,超洁净学会)标准化文件的基础上制定而成的。 TXRF需要利用参考物质来做定量分析。原子表面密度低于1010atoms/cm2 的有证参考物质难 以获得。即使能够获得,从环境引入的污染也可能会缩短这些参考物质的有效期。 出于校准目的,相关分析实验室都将需要制备和分析 TXRF参考物质。因此,需要分别制定 TXRF测量程序和参考物质制备两个标准化文件。本文件为前者,即关于TXRF测量程序的标准化 文件。 表面化学分析 全反射X射线荧光光谱法(TXRF) 测定硅片表面元素污染 1 范围 本文件描述了测量经化学机械抛光或外延生长的硅片上表面元素污染的原子表面密度的TXRF 方法。 本文件适用于以下情形: ---原子序数从16(S)到92(U)的元素; ---原子表面密度介于1×1010atoms/cm2~1×1014atoms/cm2 之间的污染元素; ---采用VPD(气相分解)样品制备方法得到的原子表面密度介于5×108atoms/cm2~5×1012at- oms/cm2 之间的污染元素(见3.4)。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文 件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于 本文件。 3 术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 3.1 全反射 totalreflection 掠入射X射线辐照到一种具有较大X射线光密度的介质时,在两种介质边界处发生的完全反射。 注:硅片对于X射线的折射率小于1。以小的掠射角入射到硅片表面的X射线会在硅片表面发生全反射,此时反 射的角度等于掠射角。 3.2 掠射角 glancingangle 样品表面平面与包含入射到样品表面的X射线的......

英文网页English: GB/T 40110-2021

相关标准: GB/T 40244 | GB/T 22461.3 | GB/T 40109 | GB/T 40244 |