搜索结果: GB/T 43063-2023, GB/T43063-2023, GBT 43063-2023, GBT43063-2023
| 标准编号 | GB/T 43063-2023 (GB/T43063-2023) | | 中文名称 | 集成电路 CMOS图像传感器测试方法 | | 英文名称 | Integrated circuit - Test method for CMOS image sensors | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L55 | | 国际标准分类 | 31.200 | | 字数估计 | 34,381 | | 发布日期 | 2023-09-07 | | 实施日期 | 2024-01-01 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 43063-2023: 集成电路 CMOS图像传感器测试方法
ICS 31.200
CCSL55
中华人民共和国国家标准
集成电路 CMOS图像传感器测试方法
2023-09-07发布
2024-01-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
目次
前言 Ⅲ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 测试参数名称及符号 1
5 一般要求 2
5.1 测试环境 2
5.2 测试系统 2
5.3 规定条件 3
5.4 静电防护要求 3
6 测试方法 4
6.1 转换增益K 4
6.2 暗信号SD 7
6.3 暗信号非均匀性(固定图形噪声)FPN 8
6.4 读出噪声Nm 9
6.5 响应非线性Llin 10
6.6 满阱电荷数NS 11
6.7 动态范围DR 12
6.8 信噪比S/N 13
6.9 光响应非均匀性PRNU 13
6.10 灵敏度R 15
6.11 缺陷像元 16
6.12 电荷滞留NRE 17
6.13 抗弥散性 18
6.14 量子效率η 19
6.15 光谱响应度Rλ 22
6.16 峰值响应波长λP 23
6.17 光谱响应范围 23
6.18 调制传递函数(奈奎斯特频率)MTFN 24
6.19 动态调制传递函数(奈奎斯特频率)MTFNs 26
6.20 角度响应曲线 28
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出并归口。
本文件主要起草单位:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所、重庆光电技术研究所、天津大
学、长春精测光电技术有限公司、中国电子技术标准化研究院、深圳佑驾创新科技有限公司。
本文件主要起草人:李俊霖、张涛、兰太吉、杨永强、赵宇、聂真威、韩冰、金辉、马洪涛、卢岩、徐江涛、
刘昌举、唐延甫、聂凯明、李金、高志远、马悦、刘国清、王琪、刘秀娟。
集成电路 CMOS图像传感器测试方法
1 范围
本文件描述了具有线性光电响应特性的线阵、面阵和时间延迟积分(TDI)CMOS图像传感器(以下
简称器件)参数及其测试方法。
本文件适用于具有线性光电响应特性的线阵、面阵和TDI器件参数测试。
2 规范性引用文件
本文件无规范性引用文件。
3 术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
暗场 darkfield
器件所处的无光照测试环境。
3.2
亮场 lightfield
器件所处的有光照测试环境。
3.3
有效像元 effectivepixel
成像像元阵列中,没有被不透光材料覆盖并参与最终成像显示的像元。
3.4
均值图像 meanimage
在输入均匀辐照度、积分时间、器件参数均固定的条件下,对器件输出的F 帧图像以像元为单位求
均值,最后以所有有效像元F 帧图像的均值组成的图像。
3.5
暗信号校正 darks......
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