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GB/T 43366-2023 相关标准英文版PDF

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GB/T 43366-2023 英文版 849 GB/T 43366-2023 [PDF]天数 <=7 宇航用半导体分立器件通用规范 GB/T 43366-2023 有效
基本信息
标准编号 GB/T 43366-2023 (GB/T43366-2023)
中文名称 宇航用半导体分立器件通用规范
英文名称 General specification for discrete semiconductor devices of space application
行业 国家标准 (推荐)
中标分类 V25
国际标准分类 49.035
字数估计 42,412
发布日期 2023-11-27
实施日期 2024-03-01
发布机构 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会

GB/T 43366-2023: 宇航用半导体分立器件通用规范 ICS 49.035 CCSV25 中华人民共和国国家标准 宇航用半导体分立器件通用规范 ofspaceapplication 国 家 市 场 监 督 管 理 总 局 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布 目次 前言 Ⅴ 1 范围 1 2 规范性引用文件 1 3 术语和定义 2 4 技术要求 3 4.1 总体要求 3 4.2 质量保证等级 3 4.3 设计 3 4.4 材料 3 4.5 标识 3 4.6 生产过程 6 4.7 外协加工和外购芯片 7 4.8 基本要求 8 5 试验方法 12 5.1 内部目检 12 5.2 外观及尺寸检查 12 5.3 参数性能 12 5.4 高温寿命 12 5.5 温度循环 12 5.6 二极管耐久性试验 12 5.7 晶体管耐久性试验 12 5.8 引线键合强度 13 5.9 扫描电子显微镜检查(SEM) 13 5.10 浪涌 13 5.11 热响应 13 5.12 恒定加速度 13 5.13 粒子碰撞噪声检测试验 13 5.14 细检漏 13 5.15 粗检漏 13 5.16 晶体管高温反偏 13 5.17 功率FET高温反偏 13 5.18 二极管高温反偏 14 5.19 X射线照相 14 5.20 超声扫描 14 5.21 可焊性 14 5.22 耐溶剂 14 5.23 热冲击(液体-液体) 14 5.24 间歇工作寿命 14 5.25 二极管热阻 14 5.26 双极型晶体管热阻 14 5.27 功率FET热阻 14 5.28 闸流晶体管热阻 14 5.29 IGB T热阻 14 5.30 GaAsFET热阻 15 5.31 重量 15 5.32 耐湿 15 5.33 冲击 15 5.34 扫频振动 15 5.35 盐气(侵蚀) 15 5.36 内部气氛含量 15 5.37 高压蒸煮 15 5.38 稳态总剂量辐射 15 5.39 单粒子效应 15 5.40 破坏性物理分析(DPA) 15 5.41 低气压(只适用于额定电压大于200V的器件) 16 5.42 静电放电敏感度(ESDS) 16 5.43 耐焊接热 16 5.44 预处理 16 5.45 回流焊模拟 16 5.46 引出端强度 16 5.47 强加速稳态湿热 16 6 检验规则 16 6.1 通则 16 6.2 检验分类 16 6.3 试验和检验的环境条件 16 6.4 检验批 17 6.5 筛选 17 6.6 鉴定检验 19 6.7 质量一致性检验 19 6.8 用户方监制 27 6.9 用户方验收 27 7 包装、标识、运输、贮存 27 7.1 包装和标识 27 7.2 运输、贮存 28 附录A(规范性) 材料要求 29 A.1 总体要求 29 A.2 封装材料 29 A.3 器件的镀涂 30 附录B(资料性) 用户方监制 32 B.1 监制方式 32 B.2 监制内容 32 B.3 监制 32 附录C(资料性) 用户方验收 34 C.1 总则 34 C.2 验收工作内容 34 C.3 质量文件审查 34 C.4 验收试验 34 C.5 验收的结果和处理 35 前言 本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国宇航技术及其应用标准化技术委员会(SAC/TC425)提出并归口。 本文件起草单位:中国运载火箭技术研究院、中国空间技术研究院、西安电子科技大学、济南市半导 体元件实验所、北京中科新微特科技开发股份有限公司、国营第八七三厂、深圳吉华微特电子有限公司、 朝阳微电子科技股份有限公司。 本文件主要起草人:加春雷、张伟、李彭、丛忠超、张爱学、熊盛阳、孙岩、张莹、薛军帅、崔同、王迎春、 张彦飞、李寿全、陈江、曲赫然、李志福。 宇航用半导体分立器件通用规范 1 范围 本文件规定了宇航用半导体分立器件(以下简称“器件”)的通用要求、质量保证规定、交货准备和说 明事项。 本文件适用于宇航用半导体分立器件的设计、生产、检验和销售。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文 件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于 本文件。 GB/T 4023-2015 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4589.1-2006 半导体分立器件 第10部分:分立器件和集成电路总规范 GB/T 4937.2-2006 半导体器件 机械和气候试验方法 第2部分:低气压 GB/T 4937.3-2012 半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分:外部目检 GB/T 4937.4-2012 半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分:强加速稳态湿热试验 (HAST) GB/T 4937.11-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第11部分:快速温度变化 双液 槽法 GB/T 4937.12-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第12部分:扫频振动 GB/T 4937.13-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第13部分:盐雾 GB/T 4937.14-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第14部分:引出端强度(引线牢固 性) GB/T 4937.15-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第15部分:通孔安装器件的耐焊 接热 GB/T 4937.18-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第18部分:电离辐照(总剂量) GB/T 4937.19-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第19部分:芯片剪切强度 GB/T 4937.20-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第20部分:塑封表面安装器件耐潮 湿和焊接热综合影响 GB/T 4937.21-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第21部分:可焊性 G......

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