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www.GB-GBT.com 收录标准: 222431 (2026-05-16)

GB/T 45716.1-2026 相关标准英文版PDF

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GB/T 45716.1-2026 英文版 RFQ 询价 [PDF]天数 <=3 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验 GB/T 45716.1-2026 有效
GB/T 45716-2025 英文版 294 GB/T 45716-2025 [PDF]天数 <=3 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 GB/T 45716-2025 有效
基本信息
标准编号 GB/T 45716.1-2026 (GB/T45716.1-2026)
中文名称 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验
英文名称 Semiconductor devices - Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) - Part 1: Fast bias-temperature instability test for MOSFETs
行业 国家标准 (推荐)
中标分类 L40
国际标准分类 31.080.30
发布日期 2026-04-30
实施日期 2026-11-01
发布机构 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

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英文网页English: GB/T 45716.1-2026

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