GB/T 45720-2025 相关标准英文版PDF

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GB/T 45720-2025	英文版	454	GB/T 45720-2025	[PDF]天数 <=3	半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验	GB/T 45720-2025	有效

基本信息
标准编号	GB/T 45720-2025 (GB/T45720-2025)
中文名称	半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验
英文名称	Semiconductor devices - Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for gate dielectric films
行业	国家标准 (推荐)
中标分类	L55
国际标准分类	31.080.01
字数估计	22,262
发布日期	2025-05-30
实施日期	2025-09-01
发布机构	国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会

GB/T 45720-2025: 半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验 ICS 31.080.01 CCSL55 中华人民共和国国家标准半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验 (IEC 62374:2007,IDT) 2025-05-30发布 2025-09-01实施国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会发布目次前言 Ⅲ 1 范围 1 2 规范性引用文件 1 3 术语和定义 1 4 试验设备 3 5 试验样品 3 5.1 通则 3 5.2 测试结构(电容器结构) 3 5.3 面积 3 6 步骤 4 6.1 概述 4 6.2 预测试 4 6.3 试验条件 5 6.4 判据 5 7 寿命时间估算 7 7.1 概述 7 7.2 加速模型 8 7.3 寿命时间估算步骤 10 8 寿命时间与栅氧面积的关系 12 附录A(资料性) 补充确定试验条件和数据分析 13 参考文献 16 前言本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。本文本件等同采用IEC 62374:2007《半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验》。本文件增加了“规范性引用文件”一章。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。本文件起草单位:工业和信息化部电子第五研究所、吉林华微电子股份有限公司、安徽长麦智能科技有限公司、中国科学院半导体研究所、广东汇芯半导体有限公司、贵州振华风光半导体股份有限公司、河北北芯半导体科技有限公司、东莞赛诺高德蚀刻科技有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳市森美协尔科技有限公司。本文件主要起草人:陈义强、来萍、高汭、蔡荣敢、冯宇翔、王力纬、董显山、肖庆中、陈媛、常江、刘岳阳、刘岗岗、裴选、张亮旗、冯军宏、迟雷、夏自金、刘世文。半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验 1 范围本文件描述了半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验方法以及TDDB失效的产品寿命时间估算方法。 2 规范性引用文件本文件没有规范性引用文件。 3 术语和定义下列术语和定义适用于本文件。 3.1 Eox 栅氧电压除以栅氧厚度,见公式(1)。注: Eox =Vox/tox (1) 式中: Eox---栅氧电场强度,单位为兆伏每厘米(MV/cm); Vox---栅氧电压; tox ---栅氧厚度。 tox应通过统一的、有据可查的方法(扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)或电容-电压(CV)分析的物理测量方法)进行测定。需要指出的是,施加的电压不一定是栅氧上的电压。超薄栅氧由于存在量子限域效应和栅电极耗尽效应,栅氧电压会比施加的电压要低。测量tox的方法或规定测量方法的标准在数据报告中进行引用。 3.2 Ig 在绝缘栅场效应晶体管的栅极引出端流动的泄漏电流。注:栅极泄漏电流通常使用字母符号“Ig”。 3.......

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