搜索结果: GB/T 46567.1-2025, GB/T46567.1-2025, GBT 46567.1-2025, GBT46567.1-2025
| 标准编号 | GB/T 46567.1-2025 (GB/T46567.1-2025) | | 中文名称 | 智能计算 忆阻器测试方法 第1部分：基础特性 | | 英文名称 | Intelligent computing - Test method for memristor - Part 1: Basic characteristics | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L40 | | 国际标准分类 | 31.080.99 | | 字数估计 | 18,185 | | 发布日期 | 2025-10-31 | | 实施日期 | 2025-10-31 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会 | GB/T 46567.1-2025: 智能计算 忆阻器测试方法 第1部分：基础特性
ICS 31.080.99
CCSL40
中华人民共和国国家标准
智能计算 忆阻器测试方法
第1部分:基础特性
Part1:Basiccharacteristics
2025-10-31实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
目次
前言 Ⅲ
引言 Ⅳ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 待测器件 3
5 测试装置与环境条件 3
5.1 测试装置 3
5.2 测试环境条件 5
6 测试方法 5
6.1 读 5
6.2 电预处理 6
6.3 增强 7
6.4 抑制 8
7 测试报告 8
附录A(资料性) 测试报告模板 10
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件是GB/T 46567《智能计算 忆阻器测试方法》的第1部分。GB/T 46567已经发布了以下
部分:
---第1部分:基础特性。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国智能计算标准化工作组(SAC/SWG32)提出并归口。
本文件起草单位:之江实验室、浙江大学、上海复旦微电子集团股份有限公司、中移(杭州)信息技术
有限公司、中国计量大学、复旦大学、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国科学院微电子研究所、
河北大学、东北师范大学、国防科技大学、中国信息通信研究院、浪潮电子信息产业股份有限公司、华中
科技大学、太原理工大学、宁波时识科技有限公司、中国科学院半导体研究所、杭州国磊半导体设备有限
公司、山西太行实验室有限公司、天翼云科技有限公司、浙江大华技术股份有限公司、北京京瀚禹电子工
程技术有限公司、北京万界数据科技有限责任公司、超聚变数字技术有限公司、北京云之印科技有限公
司、浙江省物联网产业协会、中国通信工业协会。
本文件主要起草人:时拓、王忠新、刘津畅、何水兵、李磊、刘山佳、王明、钟鑫、施阁、吴逊、许晓欣、
闫小兵、王中强、李莹、黄伟、王义楠、张丽静、王斌强、李祎、刘琦、孙文绚、徐海阳、杨彪、张乾、李清江、
张九六、张宏巍、杨明、黄旭辉、武晨希、于双铭、孔维生、李鹏飞、黄唯静、王小鹏、黄涛、刘海连、罗联上、
陈永祥。
引 言
忆阻器的阻值状态由外加激励历史决定,具备非易失性记忆功能,是实现高密度、低功耗、快速数据
存储的理想器件,为发展高能效存算一体系统提供了切实可行的解决方案。同时,忆阻器可模拟生物突
触行为,适用于深度神经网络(DNNs)和脉冲神经网络(SNNs)中突触功能的实现,为神经形态计算领
域的发展奠定了基础。
在神经形态计算等前沿应用场景中,忆阻器的性能指标直接影响系统的整体效能。其关键性能包
括基础特性(如读、电预处理、增强与抑制等)和线性度、脉冲依赖可塑性、非对称性等。然而,当前行业
内缺乏统一的测试方法标准,导致不同单位间的性能评估结果缺乏可比性,制约了技术的规范化发展。
为解决这一问题,亟需建立科学、系统的测试规范,以保障忆阻器性能评估的客观性与一致性。
为响应产业需求并推动技术标准化,GB/T 46567《智能计算 忆阻器测试方法》拟由四个部分
构成。
---第1部分:基础特性。目的在于描述忆阻器的读、电预处理、增强和抑制等基础特性的测试
方法。
---第2部分:线性度。目的在于描述忆阻器线性度的测试方法。
---第3部分:脉冲依赖可塑性。目的在于描述忆阻器脉冲依赖可塑性的测试方法。
---第4部分:非对称性。目的在于描述忆阻器非对称性的测试方法。
智能计算 忆阻器测试方法
第1部分:基础特性
1 范围
本文件规定了忆阻器测试装置与环境条件要求,描述了忆阻器读、电预处理、增强和抑制等基础特
性的测试方法,并规定了测试报告要求。
本文件适用于两端型双极性忆阻器的读、电预处理、增强和抑制等基础特性的测试。
2 规范性引用文件
本文件没有规范性引用文件。
3 术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
忆阻器 memristor
一种能够通过电阻值的变化记忆流经电荷量或磁通量的非线性电子元件。
3.2
突触前电压 pre-synapticvoltage
Vpre
施加在忆阻器突触前神经元的电压。
3.3
突触后电压 post-syn......
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