搜索结果: GB/T 46717-2025, GB/T46717-2025, GBT 46717-2025, GBT46717-2025
| 标准编号 | GB/T 46717-2025 (GB/T46717-2025) | | 中文名称 | 半导体器件 金属化空洞应力试验 | | 英文名称 | Semiconductor devices - Metallization stress void test | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L40 | | 国际标准分类 | 31.080.01 | | 字数估计 | 18,192 | | 发布日期 | 2025-10-31 | | 实施日期 | 2026-05-01 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会 | GB/T 46717-2025: 半导体器件 金属化空洞应力试验
ICS 31.080.01
CCSL40
中华人民共和国国家标准
半导体器件 金属化空洞应力试验
(IEC 62418:2010,IDT)
2025-10-31发布
2026-05-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
目次
前言 Ⅲ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 试验设备 1
5 测试结构 1
5.1 测试结构图形 1
5.2 线形图形 1
5.3 通孔链图形 1
6 应力温度 2
7 程序 2
7.1空洞应力评估方法 2
7.2 电阻测量法 2
7.3 外观检查法 3
8 失效判据 3
8.1 电阻测量法 3
8.2 外观检查法 3
9 数据分析及寿命外推(仅用于电阻测量法) 3
10 规定条件和报告 5
10.1 电阻测量法 5
10.2 外观检查法 6
附录A(资料性) 应力迁移机理 7
附录B(资料性) 影响Al金属化空洞的技术因素 9
附录C(资料性) 影响Cu金属化空洞的技术因素 10
附录D(资料性) 注意事项 11
D.1 电阻变化种类 11
D.2 AlCu合金中Cu的溶解度 11
D.3 有效的钝化层沉积温度 11
D.4 空洞体积计算 11
参考文献 13
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件等同采用IEC 62418:2010《半导体器件 金属化空洞应力试验》。
本文件增加了“规范性引用文件”和“术语和定义”两章。
本文件做了下列最小限度的编辑性改动:
---第9章公式(2)~公式(4),增加了部分字母符号含义的解释。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
本文件起草单位:中国电子科技集团公司第十三研究所、河北北芯半导体科技有限公司、广州天极
电子科技股份有限公司、中国核电工程有限公司河北分公司、广东科信电子有限公司、河北新华北集成
电路有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、中山奥士森电子有限公司、深圳市微特精密科技股份
有限公司、河北赛美科技有限公司。
本文件主要起草人:裴选、席善斌、杨俊锋、侯继儒、卫云、高东阳、尹丽晶、吴亚光、赵昱、柯佳键、
任怀龙、肖庆中、龙秀才、程志勇、曲韩宾、高博、李潇龙、曲佳健、赵妍婷。
半导体器件 金属化空洞应力试验
1 范围
本文件描述了铝(Al)或铜(Cu)金属化空洞应力试验方法及相关判据。
本文件适用于半导体工艺的可靠性研究和鉴定。
2 规范性引用文件
本文件没有规范性引用文件。
3 术语和定义
本文件没有需要界定的术语和定义。
4 试验设备
加热平台或温箱需经过校准,保证晶圆片或封装的测试结构在规定的时间内保持在规定温度
±5℃ 偏差范围内。需专用设备进行电阻测量。对于空洞检测,需去除防划痕保护层的剥层设备和扫
描电子显微镜(SEM)。
5 测试结构
5.1 测试结构图形
所有检查的金属层使用测试结构,可使用几种不同类型的结构。本文件规定了两种测试结构。
注:对于测试结构中的埋层图形,若其金属化没有难熔分流层,可能会在台阶处出现反射缺口,这预示着相对较弱
的空洞应力能力。
5.2 线形图形
以设计允许的最小线宽平行线形成适当的测试结构。除另有规定外,最小线长宜为500μm,总长
度为1cm~1000cm。空洞应力通常对线线间距敏感,因此宜采用单一独立的长线条。
注1:窄线条中更容易产生空洞应力,因为窄线条金属应力通常高于宽线条。
注2:线长宜足以形成空洞核。
5.3 通孔链图形
5.3.1 图形种类
通孔链图形可......
|