搜索结果: GB/T 4937.11-2018, GB/T4937.11-2018, GBT 4937.11-2018, GBT4937.11-2018
| 标准编号 | GB/T 4937.11-2018 (GB/T4937.11-2018) | | 中文名称 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第11部分：快速温度变化 双液槽法 | | 英文名称 | Semiconductor devices -- Mechanical and climatic test methods -- Part 11: Rapid change of temperature -- Two-fluid-bath method | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L40 | | 国际标准分类 | 31.080.01 | | 字数估计 | 6,676 | | 发布日期 | 2018-09-17 | | 实施日期 | 2019-01-01 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 4937.11-2018
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 11: Rapid change of temperature - Two-fluid-bath method
ICS 31.080.01
L40
中华人民共和国国家标准
半导体器件 机械和气候试验方法
第11部分:快速温度变化 双液槽法
(IEC 60749-11:2002,IDT)
2018-09-17发布
2019-01-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
中国国家标准化管理委员会 发 布
前言
GB/T 4937《半导体器件 机械和气候试验方法》由以下部分组成:
---第1部分:总则;
---第2部分:低气压;
---第3部分:外部目检;
---第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST);
---第5部分:稳态温湿度偏置寿命试验;
---第6部分:高温贮存;
---第7部分:内部水汽含量测试和其他残余气体分析;
---第8部分:密封;
---第9部分:标志耐久性;
---第10部分:机械冲击;
---第11部分:快速温度变化 双液槽法;
---第12部分:扫频振动;
---第13部分:盐雾;
---第14部分:引出端强度(引线牢固性);
---第15部分:通孔安装器件的耐焊接热;
---第16部分:粒子碰撞噪声检测(PIND);
---第17部分:中子辐照;
---第18部分:电离辐射(总剂量);
---第19部分:芯片剪切强度;
---第20部分:塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响;
---第20-1部分:对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输;
---第21部分:可焊性;
---第22部分:键合强度;
---第23部分:高温工作寿命;
---第24部分:加速耐湿 无偏置强加速应力试验(HSAT);
---第25部分:温度循环;
---第26部分:静电放电(ESD)敏感度试验 人体模型(HBM);
---第27部分:静电放电(ESD)敏感度试验 机械模型(MM);
---第28部分:静电放电(ESD)敏感度试验 带电器件模型(CDM) 器件级;
---第29部分:闩锁试验;
---第30部分:非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理;
---第31部分:塑封器件的易燃性(内部引起的);
---第32部分:塑封器件的易燃性(外部引起的);
---第33部分:加速耐湿 无偏置高压蒸煮;
---第34部分:功率循环;
---第35部分:塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查;
---第36部分:恒定加速度;
---第37部分:采用加速度计的板级跌落试验方法;
---第38部分:半导体存储器件的软错误试验方法;
---第39部分:半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量;
---第40部分:采用张力仪的板级跌落试验方法;
---第41部分:非易失性存储器件的可靠性试验方法;
---第42部分:温度和湿度贮存;
---第43部分:集成电路(IC)可靠性鉴定方案指南;
---第44部分:半导体器件的中子束辐照单粒子效应试验方法。
本部分为GB/T 4937的第11部分。
本部分按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本部分使用翻译法等同采用IEC 60749-11:2002《半导体器件 机械和气候试验方法 第11部分:
快速温度变化 双液槽法》。
与本部分中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下:
---GB/T 4937.3-2012 半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分 外部目检(IEC 60749-
3:2002,IDT)。
本部分做了下列编辑性修改:
---根据IEC 60749-11:2002更改单,表1中-40℃的偏差-30℃更改为-10℃;
---表中的脚注编号由“1,2,3”改为“a,b,c”。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本部分由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
本部分起草单位:中国电子科技集团公司第十三研究所。
本部分主要起草人:张天福、高金环、彭浩、李树杰、于学东、崔波、裴选、迟雷、张艳杰。
半导体器件 机械和气候试验方法
第11部分:快速温度变化 双液槽法
1 范围
GB/T 4937的本部分规定了快速温度变化---双液槽法的试验方法。当器件鉴定既可以采用空
气-空气温度循环又可以采用快速温度变化---双液槽法试验时,优先采用空气-空气温度循环试验。
本试验也可采用少量循环(5次~10次)的方式来模拟清洗器件的加热液体对器件的影响。
本试验适用于所有的半导体器件。除非在有关规范中另有说明,本试验被认为是破坏性的。
本试验与GB/T 2423.22-2002基本一致,但鉴于半导体器件的特殊要求,采用本部分的条款。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 2423.22-2002 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验 N:温度变化
(IEC 60068-2-14:1984,IDT)
3 术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
负载 load
负载由试验样品以及试验时用于固定样品的夹具组成。
注:最大负载是指能置于液槽工作区中且能满足规定温度和时间的样品和夹具的最大质量。
3.2
监测传感器 monitoringsensor
经过校准,并安装在合适位置使其能指示与样品所处最坏情......
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