搜索结果: GB/T 5201-2012, GB/T5201-2012, GBT 5201-2012, GBT5201-2012
| 标准编号 | GB/T 5201-2012 (GB/T5201-2012) | | 中文名称 | 带电粒子半导体探测器测量方法 | | 英文名称 | Test procedures for semiconductor charged particle detectors | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | F88 | | 国际标准分类 | 27.120 | | 字数估计 | 16,162 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 5201-1994 | | 引用标准 | GB/T 4960.6-2008; GB/T 10263-2006; GB/T 13178-2008 | | 采用标准 | IEC 60333-1993, NEQ | | 标准依据 | 国家标准公告2012年第13号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了带电粒子半导体探测器的电特性和核辐射性能的测量方法以及某些特殊环境的试验方法。本标准适用于带电粒子部分耗尽层的半导体探测器。全耗尽型半导体探测器的测量可参照本标准执行。 |
GB/T 5201-2012
Test procedures for semiconductor charged particle detectors
ICS 27.120
F88
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 5201-1994
带电粒子半导体探测器测量方法
2012-06-29发布
2012-11-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 5201-1994《带电粒子半导体探测器测试方法》,本标准与GB/T 5201-1994
(以下简称原标准)相比,主要技术变化如下:
---增加了前言;
---增加了第2章“规范性引用文件”,其他章的编号依次后推;
---将原标准“术语、符号”改为第3章“术语和定义”,并完全引用GB/T 4960.6-2008,不再另行
编写;
---删除了原标准2.2“符号”部分,在文中用到符号的地方予以说明;
---增加了4.1“测试的参考条件或标准试验条件”代替原标准3.1;
---将原标准3.3和3.4合并为4.3;删除了原标准3.7;
---5.1“电压-电流特性(V-I特性)”增加了反向V-I特性测试;
---将原标准4.3“噪声测量”前的悬置段改为5.3.1“测量方法和测量系统”,其他节编号依次
后推;
---将原标准4.3.6“探测器噪声随放大器时间常数的变化”增加新内容后,改为5.3.7;
---5.4.2“电荷收集时间”增加了对“快”、“慢”探测器的区分标准;
---第7章“环境试验”完全引用GB/T 10263-2006,不再另行编写。
本标准使用重新起草法参考IEC 60333:1993《核仪器 半导体带电粒子探测器 试验程序》编制,
与IEC 60333:1993的一致性程度为非等效。
本标准由全国核仪器仪表标准化技术委员会(SAC/TC30)提出并归口。
本标准起草单位:中核(北京)核仪器厂。
本标准起草人:李志勇、王军。
带电粒子半导体探测器测量方法
1 范围
本标准规定了带电粒子半导体探测器的电特性和核辐射性能的测量方法以及某些特殊环境的试验
方法。
本标准适用于带电粒子部分耗尽层的半导体探测器。
全耗尽型半导体探测器的测量可参照本标准执行。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 4960.6-2008 核科学技术术语 第6部分:核仪器仪表
GB/T 10263-2006 核辐射探测器环境条件与试验方法
GB/T 13178-2008 金硅面垒型探测器
3 术语和定义
GB/T 4960.6-2008界定的术语和定义适用于本文件。
4 一般要求
4.1 测量应在参考条件或标准试验条件(见表1)下进行。
表1 参考条件或标准试验条件
项目 参考条件 标准试验条件
环境温度 20℃ 18℃~22℃
相对湿度 65% 50%~75%
大气压强 101.3kPa 86kPa~106kPa
交流供电电压 UNa (1±1.0%)UN
交流供电频率 50Hzb (1±1%)×50Hz
交流供电波形 正弦波 波形总畸变﹤5%
直流供电电压 额定值 ±1%
环境γ辐射(空气吸收剂量率) 0.1μGy/h < 0.25μGy/h
外磁场干扰 可忽略 小于引起干扰的最低值
外界磁感应 可忽略 小于地磁场引起干扰的2倍......
|