GB/T 6219-1998 相关标准英文版PDF

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标准号码	内文	价格美元	第2步(购买)	交付天数	标准名称	详情	状态
GB/T 6219-1998	英文版	559	GB/T 6219-1998	[PDF]天数 <=3	半导体器件分立器件第8部分;场效应晶体管第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范	GB/T 6219-1998
GB/T 6219-1986	英文版	RFQ	询价	[PDF]天数 <=3	1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范(可供认证用)	GB/T 6219-1986	作废

基本信息
标准编号	GB/T 6219-1998 (GB/T6219-1998)
中文名称	半导体器件分立器件第8部分;场效应晶体管第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范
英文名称	Semiconductor devices Discrete devices. Part 8: Field-effect transistors. Section One. Blank detail specification for singe-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz
行业	国家标准 (推荐)
中标分类	L42
国际标准分类	31.080.30
字数估计	16,175
发布日期	11/17/1998
实施日期	6/1/1999
旧标准 (被替代)	GB/T 6219-1986
采用标准	IEC 60747-8-1-1987, IDT
发布机构	国家质量技术监督局
范围	本标准规定了制定1GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管洋细规范的基本原则, 制定该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。

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