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GB/T 6352-1998 相关标准英文版PDF

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GB/T 6352-1998 英文版 419 GB/T 6352-1998 [PDF]天数 <=3 半导体器件 分立器件 第6部分;闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范 GB/T 6352-1998
GB/T 6352-1986 英文版 RFQ 询价 [PDF]天数 <=3 100A以下环境和管壳额定的反向阻断三极晶体闸流管(闸流晶体管)空白详细规范(可供认证用) GB/T 6352-1986 作废
基本信息
标准编号 GB/T 6352-1998 (GB/T6352-1998)
中文名称 半导体器件 分立器件 第6部分;闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范
英文名称 Semiconductor devices Discrete devices. Part 6: Thyristors Section One. Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors, ambient or case-rated, up to 100A
行业 国家标准 (推荐)
中标分类 L43
国际标准分类 31.080.20
字数估计 12,151
发布日期 11/17/1998
实施日期 6/1/1999
旧标准 (被替代) GB/T 6352-1986
采用标准 IEC 60747-6-1-1989, IDT
发布机构 国家质量技术监督局
范围 本标准规定了制定100A以下(含100A)环境或管壳额定的反向阻断三极闸流晶体管(包括快速型)详细规范的基本原则, 制定该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。

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英文网页English: GB/T 6352-1998

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