路径: 主页 > GB/T > 第744页 > GB/T 7576-2026 | 标准编号 | GB/T 7576-2026 (GB/T7576-2026) | | 中文名称 | 半导体分立器件 大功率双极型晶体管空白详细规范 | | 英文名称 | Discrete semiconductor devices - Blank detail specification for high power bipolar transistors | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L40 | | 国际标准分类 | 31.080.30 | | 字数估计 | 18,115 | | 发布日期 | 2026-03-31 | | 实施日期 | 2026-10-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 7388-1999 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会 | GB/T 7576-2026: 半导体分立器件 大功率双极型晶体管空白详细规范
ICS 31.080.30
CCSL40
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 7576-1998,GB/T 7577-1996
半导体分立器件
大功率双极型晶体管空白详细规范
2026-03-31发布
2026-10-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件代替GB/T 7576-1998《半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第四篇 高频
放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范》和GB/T 7577-1996《低频放大管壳额定的双极型晶体管
空白详细规范》。文本件以GB/T 7576-1998为主,整合了GB/T 7577-1996的内容。与GB/T 7576-
1998相比,除结构调整和编辑性改动外,主要技术变化如下:
---增加了最大额定值中TC=25℃和TC=100℃下总输入功率要求(见表1);
---删除了在规定的反向基极电压下的最高集电极-发射极(直流)电压VCEX、在基极与发射极短路
时的最高集电极-发射极(直流)电压VCES和在规定的外接电阻RBE下的最高集电极-发射极(直
流)电压VCER等与应用条件相关的参数(见GB/T 7576-1998的表4和GB/T 7577-1996的
表4);
---增加了电参数曲线的条款(见4.3.3);
---增加了筛选(见5.1);
---删除了A2a分组不能工作器件的测试(见GB/T 7576-1998的表1和GB/T 7577-1996的
表1);
---增加了A3分组的共基极输出电容的测试(见表4);
---删除了C2a的分组的共基极输出电容的测试(见GB/T 7576-1998的表3)。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
本文件起草单位:中国电子技术标准化研究院、工业和信息化部电子第五研究所、济南晶恒电子有
限责任公司、西安环宇芯微电子有限公司、国家国防科技工业局军工项目审核中心、深圳市麦思浦半导
体有限公司、青岛佳恩半导体有限公司、深圳市信展通电子股份有限公司。
本文件主要起草人:曹赞、周圣泽、孙明、闫美存、侯秀萍、卞岩、戴俊夫、田燕春、王辉、王丕龙、周刚。
本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为:
---GB/T 7576,1987年首次发布,1998年第一次修订;
---GB/T 7577,1987年首次发布,1996年第一次修订;
---本次为第二次修订。
半导体分立器件
大功率双极型晶体管空白详细规范
1 范围
本文件规定了制定大功率双极型晶体管详细规范的要求、试验条件和检验要求、包装、运输和贮存。
本文件适用于大功率双极型晶体管详细规范的制定。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文
件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于
本文件。
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GB/T 4937.12 半导体器件 机械和气候试验方法 第12部分:扫频振动
GB/T 4937.13 半导体器件 机械和气候试验方法 第13部分:盐雾
GB/T 4937.14 半导体器件 机械和气候试验方法 第14部分:引出端强度(引线牢固性)
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GB/T 4937.21 半导体器件 机械和气候试验方法 第21部分:可焊性
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