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| 标准编号 | GB/T 8756-2018 (GB/T8756-2018) | | 中文名称 | 锗晶体缺陷图谱 | | 英文名称 | Collection of metallographs on defects of germanium crystal | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H80 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 42,454 | | 发布日期 | 2018-12-28 | | 实施日期 | 2019-07-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 8756-1988 | | 标准依据 | 国家标准公告2018年第17号 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 8756-2018
Collection of metallographs on defects of germanium crystal
ICS 29.045
H80
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 8756-1988
锗晶体缺陷图谱
2018-12-28发布
2019-07-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
中国国家标准化管理委员会 发 布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 8756-1988《锗晶体缺陷图谱》。本标准与GB/T 8756-1988相比,主要技术变
化如下:
---删除了原标准缺陷图谱34张,分别为图1、图2、图3、图4、图6、图8、图9、图15、图16、图20、
图21、图23、图24、图28、图29、图30、图32、图33、图78、图87、图88、图90、图91、图95、
图96、图102、图106、图113、图114、图115、图116、图124、图125、图132(见1988年版的第1
章、第2章、第3章);
---增加了术语和定义(见第3章);
---增加了图谱44张,分别为图1、图2、图3、图4、图6、图8、图9、图13、图14、图15、图16、图22、
图23、图24、图29、图30、图31、图33、图34、图80、图89、图90、图92、图93、图96、图97、
图98、图99、图105、图106、图116、图117、图118、图119、图120、图128、图129、图130、
图131、图132、图133、图135、图141、图142(见第4章);
---完善了各类缺陷的特征及产生原因(见第4章);
---增加了资料性附录A“晶体缺陷消除方法”,给出了部分晶体缺陷的消除方法(见附录A);
---删除了原标准中的“附录B透射电子显微镜技术(TEM)(补充件)”(见1988年版的附录B)。
本标准由中国有色金属工业协会提出。
本标准由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)归口。
本标准起草单位:云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、有研光电新材料有限责任公司、云南中科鑫圆
晶体材料有限公司、中锗科技有限公司、广东先导稀材股份有限公司、云南东昌金属加工有限公司、有色
金属技术经济研究院。
本标准主要起草人:普世坤、惠峰、董汝昆、冯德伸、柯尊斌、尹士平、朱刘、李素青。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T 8756-1988。
锗晶体缺陷图谱
1 范围
本标准规定了锗多晶、锗单晶制备和机械加工过程中产生的缺陷,给出了各类缺陷的特征、产生原
因及消除方法。
本标准适用于区熔锗锭、锗单晶、锗研磨片和锗抛光片生产过程中产生的缺陷。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 14264 半导体材料术语
3 术语和定义
GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
杂质管道 impuritiespipeline
在锗单晶中,沿晶体纵向形成的管道状杂质富集区。
4 锗晶体缺陷
4.1 锗多晶
4.1.1 氧化物
4.1.1.1 特征
晶体表面失去银灰色金属光泽,呈现不同颜色的表面膜,如图1所示。
4.1.1.2 产生原因
氧化物是由于晶体在高温状态下或长期暴露在空气中,以及在操作过程中引进的有机物在高温下
分解后,氧与锗反应生成。
4.1.2 浮渣
4.1.......
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