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SJ/T 11212-1999 相关标准英文版PDF

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SJ/T 11212-1999 英文版 559 SJ/T 11212-1999 [PDF]天数 <=3 石英晶体元件参数的测量 第6部分:激励电平相关性(DLD)的测量 SJ/T 11212-1999
基本信息
标准编号 SJ/T 11212-1999 (SJ/T11212-1999)
中文名称 石英晶体元件参数的测量 第6部分:激励电平相关性(DLD)的测量
英文名称 Measurement of quartz crystal unit parameters. Part 6: Measurement of drive level dependence (DLD)
行业 电子行业标准 (推荐)
中标分类 L21
字数估计 16,111
发布日期 8/26/1999
实施日期 12/1/1999
引用标准 SJ/Z 9154; SJ/Z 9154.1-1987
采用标准 IEC 444-6-1995, IDT
范围 本标准适用于石英晶体元件激励电平相关性(DlD)的测量。本标准规定两种试验方法。方法A, 以SJ/Z 9154.1-87的π型网络为基础, 适用于该标准所覆盖的整个频率范围。方法B, 是振荡器法, 适用于固定条件下大批量基频石英晶体元件的测量。

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英文网页English: SJ/T 11212-1999

相关标准: GB/T 17737.100 | SJ/T 11457.2 | SJ/T 11457.1.4 | SJ/T 11457.1.3 |