SJ/T 11586-2016 相关标准英文版PDF

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标准号码	内文	价格美元	第2步(购买)	交付天数	标准名称	详情	状态
SJ/T 11586-2016	英文版	279	SJ/T 11586-2016	[PDF]天数 <=3	半导体器件 10keV低能X射线总剂量辐射试验方法	SJ/T 11586-2016	有效

基本信息
标准编号	SJ/T 11586-2016 (SJ/T11586-2016)
中文名称	半导体器件 10keV低能X射线总剂量辐射试验方法
英文名称	10keV X-ray total dose radiation testing method of semiconductor devices
行业	电子行业标准 (推荐)
中标分类	L40
字数估计	12,150
发布日期	2016-01-15
实施日期	2016-06-01
标准依据	Ministry of Industry and Information Technology Bulletin 2016 No.3
发布机构	工业和信息化部
范围	本标准规定了使用X射线辐射仪（光子平均能量约10keV，最大光子能量不超过100keV）对半导体器件和电路进行电离辐射效应试验的方法和程序。适用于半导体器件的总剂量电离辐照评估试验。

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