SJ/T 11976-2025 相关标准英文版PDF

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SJ/T 11976-2025	英文版	229	SJ/T 11976-2025	[PDF]天数 <=3	绝缘栅双极晶体管（IGBT）用中子嬗变掺杂区熔硅单晶	SJ/T 11976-2025	有效

基本信息
标准编号	SJ/T 11976-2025 (SJ/T11976-2025)
中文名称	绝缘栅双极晶体管（IGBT）用中子嬗变掺杂区熔硅单晶
英文名称	Neutron transmutation doped float zone silicon single crystal for Insulate GateBipolar Transistors (IGBT)
行业	电子行业标准 (推荐)
中标分类	L90
国际标准分类	31.03
字数估计	10,191
发布日期	2025-05-09
实施日期	2025-08-01
发布机构	工业和信息化部
范围	本文件规定了IGBT用中子嬗变掺杂区熔硅单晶（以下简称NTD硅单晶）的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书等本文件适用于IGBT产品用NTD硅单晶

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