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SJ/T 2658.1-2015 相关标准英文版PDF

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SJ/T 2658.1-2015 英文版 149 SJ/T 2658.1-2015 [PDF]天数 <=3 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分:总则 SJ/T 2658.1-2015 有效
SJ 2658.1-1986 英文版 199 SJ 2658.1-1986 [PDF]天数 <=3 半导体红外发光二极管测试方法.总则 SJ 2658.1-1986 作废
基本信息
标准编号 SJ/T 2658.1-2015 (SJ/T2658.1-2015)
中文名称 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分:总则
英文名称 Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode. Part 1: General
行业 电子行业标准 (推荐)
中标分类 L53
国际标准分类 31.08
字数估计 4,471
发布日期 2015-10-10
实施日期 2016-04-01
旧标准 (被替代) SJ 2658.1-1986
标准依据 中华人民共和国工业和信息化部公告 2015年 第63号;行业标准备案公告2015年第12号(总第192号)
发布机构 工业和信息化部
范围 本部分规定了对半导体红外发射二极管进行光电参数测量的一般要求, 包括测试仪表的误差范围、电源的性能要求以及测试环境条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。

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英文网页English: SJ/T 2658.1-2015

相关标准: SAMR 75 | SJ/T 2658.14 | SJ/T 2658.2 | SJ/T 2658.10 |