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| 标准编号 | YS/T 1167-2016 (YS/T1167-2016) | | 中文名称 | 硅单晶腐蚀片 | | 英文名称 | Monocrystalline silicon etched wafers | | 行业 | 有色冶金行业标准 (推荐) | | 中标分类 | H82 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 10,161 | | 发布日期 | 2016-07-11 | | 实施日期 | 2017-01-01 | | 引用标准 | GB/T 1550; GB/T 1555; GB/T 2828.1; GB/T 6616; GB/T 6618; GB/T 6620; GB/T 11073; GB/T 12962; GB/T 12965; GB/T 13387; GB/T 13388; GB/T 14140; GB/T 14264; GB/T 14844; GB/T 20503; GB/T 26067; GB/T 29505; GB/T 30453; YS/T 26; YS/T 28 | | 标准依据 | 工业和信息化部公告(2016年第37号);行业标准备案公告2016年第11号(总第203号);工业和信息化部公告2017年第23号 | | 发布机构 | 工业和信息化部 | | 范围 | 本标准规定了硅单晶腐蚀片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括区熔中子嬗变和气相掺杂)制备的硅单晶研磨片经化学腐蚀液去除表面损伤层后制备的酸腐蚀片和碱腐蚀片(以下简称腐蚀片)。产品主要用于制作晶体管、整流管、特大功率晶闸管、光电器件等半导体元器件或进一步加工成硅抛光片。 | YS/T 1167-2016
Monocrystalline silicon etched wafers
ICS 29.045
H82
中华人民共和国有色金属行业标准
硅 单 晶 腐 蚀 片
2016-07-11发布
2017-01-01实施
中华人民共和国工业和信息化部 发 布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)提出并归口。
本标准起草单位:天津市环欧半导体材料技术有限公司、天津中环领先材料技术有限公司、洛阳鸿
泰半导体有限公司、有研半导体材料有限公司、杭州海纳半导体有限公司。
本标准主要起草人:由佰玲、张雪囡、蒋建国、孙燕、王飞尧、沈浩平。
硅 单 晶 腐 蚀 片
1 范围
本标准规定了硅单晶腐蚀片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、
质量证明书和订货单(或合同)内容。
本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括区熔中子嬗变和气相掺杂)制备的硅单晶研磨片经化学腐
蚀液去除表面损伤层后制备的酸腐蚀片和碱腐蚀片(以下简称腐蚀片)。产品主要用于制作晶体管、整
流管、特大功率晶闸管、光电器件等半导体元器件或进一步加工成硅抛光片。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
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