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| 标准编号 | YS/T 819-2012 (YS/T819-2012) | | 中文名称 | 电子薄膜用高纯铜溅射靶材 | | 英文名称 | High-purity sputtering copper target used in electronic film | | 行业 | 有色冶金行业标准 (推荐) | | 中标分类 | H62 | | 国际标准分类 | 77.150.30 | | 字数估计 | 9,925 | | 引用标准 | GB/T 14265; GJB 1580A; YS/T 347; YS/T 837 | | 标准依据 | 工业和信息化部公告2012年第55号;行业标准备案公告2013年第1号(总第157号); | | 发布机构 | 工业和信息化部 | | 范围 | 本标准规定了电子薄膜用高纯铜溅射靶材的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书及合同(或订货单)内容。本标准适用于电子薄膜制造用的各类高纯铜溅射靶材(以下简称高纯铜靶)。 | YS/T 819-2012
High-purity sputtering copper target used in electronic film
ICS 77.150.30
H62
中华人民共和国有色金属行业标准
电子薄膜用高纯铜溅射靶材
2012-11-07发布
2013-03-01实施
中华人民共和国工业和信息化部 发 布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)归口。
本标准起草单位:宁波江丰电子材料有限公司、有研亿金新材料股份有限公司。
本标准主要起草人:王学泽、宋佳、高岩、尚再燕、赵永善、袁洁、熊晓东。
电子薄膜用高纯铜溅射靶材
1 范围
本标准规定了电子薄膜用高纯铜溅射靶材的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质
量证明书及合同(或订货单)内容。
本标准适用于电子薄膜制造用的各类高纯铜溅射靶材(以下简称高纯铜靶)。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 14265 金属材料中氢、氧、氮、碳和硫分析方法通则
GJB1580A 变形金属超声检验方法
YS/T 347 铜及铜合金平均晶粒度测定方法
YS/T 837 溅射靶材-背板结合质量超声波检测方法
3 要求
3.1 产品分类
高纯铜靶分类按照应用背景分为:半导体布线用高纯铜靶、半导体封装用高纯铜靶、平板显示器用
高纯铜靶和太阳能电池用高纯铜靶。
3.2 成分要求
根据高纯铜溅射靶材的用途,电子薄膜用高纯铜溅射靶材的成分及杂质元素要求应符合表1规定。
表1 高纯铜靶材化学成分表
牌号 4N 4N5 5N 6N
Cu含量/%
不小于
99.99 99.995 99.999 99.9999
杂质含量/10-6,
不大于
Ag - 25 5 0.3
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