标准搜索结果: 'GB/T 12963-2014'
| 标准编号 | GB/T 12963-2014 (GB/T12963-2014) | | 中文名称 | 电子级多晶硅 | | 英文名称 | Electronic-grade polycrystalline silicon | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H82 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 7,727 | | 发布日期 | 12/31/2014 | | 实施日期 | 9/1/2015 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 12963-2009 | | 引用标准 | GB/T 1550; GB/T 1551; GB/T 1553; GB/T 1557; GB/T 1558; GB/T 4059; GB/T 4060; GB/T 4061; GB/T 13389; GB/T 14264; GB/T 24574; GB/T 24581; GB/T 24582 | | 标准依据 | 国家标准公告2014年第33号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了多晶硅的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于以氯硅烷、硅烷制得的多晶硅。 | GB/T 12963-2014
Electronic-grade polycrystalline silicon
ICS 29.045
H82
中华人民共和国国家标准
代替 GB/T 12963-2009
电子级多晶硅
2014-12-31发布
2015-09-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 12963-2009《硅多晶》。本标准与GB/T 12963-2009相比,主要有如下变动:
---增加引用国家标准GB/T 1551、GB/T 1557、GB/T 24574、GB/T 24581、GB/T 24582(见第2
章);
---增加了多晶硅的技术参数,包括施主杂质浓度、受主杂质浓度、氧浓度、基体金属杂质浓度、表
面金属杂质浓度的要求(见表1);
---不同等级多晶硅的碳浓度由< 1.5×1016atoms/cm3、< 2×1016atoms/cm3、< 2×1016
atoms/cm3修订为< 4.0×1015atoms/cm3、< 1.0×1016atoms/cm3、< 1.5×1016atoms/cm3
(见表1)。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:峨嵋半导体材料研究所、四川新光硅业科技有限责任公司、有研半导体材料股份
有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、新特能源股份有限公司、洛阳中硅高科技有限公司。
本标准起草人:詹科、杨旭、种娜、黎亚文、梁洪、孙燕、刘晓霞、银波、甘新业、严大洲。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T 12963-1991、GB/T 12963-1996、GB/T 12963-2009。
电子级多晶硅
1 范围
本标准规定了多晶硅的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单
(或合同)内容。
本标准适用于以氯硅烷、硅烷制得的多晶硅。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法
GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T 4059 硅多晶气氛区熔基磷检验方法
GB/T 4060 硅多晶真空区熔基硼检验方法
GB/T 4061 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
GB/T 13389 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 24574 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
GB/T 24581 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法
GB/T 24582 酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
3 术语和定义
GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。
4 要求
4.1 产品牌号及类别
4.1.1 电子级多晶硅的牌号表示为......
|