[PDF] GB/T 43493.2-2023 - 英文版
| 标准号码 | 美元 | 购买PDF | 工期 | 标准名称(英文版) |
| GB/T 43493.2-2023 | 404 | GB/T 43493.2-2023 | <=4 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | GB/T 43493.2-2023 (GB/T43493.2-2023) |
| 中文名称 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法 |
| 英文名称 | Semiconductor device - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 2: Test method for defects using optical inspection |
| 行业 | 国家标准 (推荐) |
| 中标分类 | L90 |
| 国际标准分类 | 31.080.99 |
| 字数估计 | 22,292 |
| 发布日期 | 2023-12-28 |
| 实施日期 | 2024-07-01 |
| 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 |
GB/T 43493.2-2023: 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法
ICS 31.080.99
CCSL90
中华人民共和国国家标准
半导体器件
功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的
无损检测识别判据
第2部分:缺陷的光学检测方法
(IEC 63068-2:2019,IDT)
2023-12-28发布
2024-07-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
目次
前言 Ⅰ
引言 Ⅱ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 光学检测方法 5
4.1 通则 5
4.2 原理 5
4.3 测试需求 5
4.4 参数设置 7
4.5 测试步骤 7
4.6 评价 7
4.7 精密度 7
4.8 测试报告 7
附录A(资料性) 缺陷的光学检测图像 9
A.1 概述 9
A.2 微管 9
A.3 TSD 9
A.4 TED 10
A.5 BPD 11
A.6 划痕痕迹 11
A.7 堆垛层错 11
A.8 延伸堆垛层错 12
A.9 复合堆垛层错 14
A.10 多型包裹体 14
A.11 颗粒包裹体 15
A.12 台阶聚集簇 16
参考文献 18
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件是GB/T 43493《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据》的
第2部分。GB/T 43493已经发布了以下部分:
---第1部分:缺陷分类;
---第2部分:缺陷的光学检测方法;
---第3部分:缺陷的光致发光检测方法。
本文件等同采用IEC 63068-2:2019《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测
识别判据 第2部分:缺陷的光学检测方法》。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布结构不承担识别专利的责任。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本文件起草单位:河北半导体研究所(中国电子科技集团公司第十三研究所)、之江实验室、中国电
子科技集团公司第四十六研究所、浙江大学、山东天岳先进科技股份有限公司、河北普兴电子科技股份
有限公司、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、山西烁科晶体有限公司、广东天域半
导体股份有限公司、深圳市星汉激光科技股份有限公司、常州银河世纪微电子股份有限公司、深圳市恒
运昌真空技术有限公司、深圳市鹰眼在线电子科技有限公司、深圳超盈智能科技有限公司、常州臻晶半
导体有限公司、厦门柯尔自动化设备有限公司、厦门普诚科技有限公司。
本文件主要起草人:芦伟立、房玉龙、李佳、张冉冉、李丽霞、杨青、殷源、刘立娜、张建峰、李振廷、
徐晨、宋生、张永强、钮应喜、金向军、毛开礼、丁雄杰、刘薇、周少丰、庄建军、乐卫平、周翔、夏俊杰、陆敏、
郑隆结、薛联金。
引 言
碳化硅(SiC)作为半导体材料,被广泛应用于新一代功率半导体器件中。与硅(Si)相比,具有击穿
电场强度高、导热率高、饱和电子漂移速率高和本征载流子浓度低等优越的物理性能,SiC基功率半导
体器件相对于硅基器件,具有更快的开关速度、低损耗、高阻断电压和耐高温等性能。
SiC功率半导体器件尚未全面得以应用,主要由于成本高、产量低和长期可靠性等问题。其中一个
严重的问题是SiC外延材料的缺陷。尽管都在努力降低SiC外延片中的缺陷,但商用SiC外延片中仍
存在一定数量的缺陷。因此有必要建立SiC同质外延片质量评定国际标准。
GB/T 43493旨在给出高功率半导体器件用4H-SiC同质外延片中各类缺陷的分类、光学检测方法
和光致发光检测方法。由三个部分组成。
---第1部分:缺陷分类。目的是列出并提供高功率半导体器件用4H-SiC同质外延片中各类缺
陷及其典型特征。
---第2部分:缺陷的光学检测方法。目的是给出并提供高功率半导体器件用4H-SiC同质外延
片中缺陷光学检测的定义和指导方法。
---第3部分:缺陷的光致发光检测方法。目的是给出并提供高功率半导体器件用4H-SiC同质
外延片中缺陷光致发光检测的定义和指导方法。
半导体器件
功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的
无损检测识别判据
第2部分:缺陷的光学检测方法
1 范围
本文件提供了在商用碳化硅(SiC)同质外延片产品上缺陷光学检测的定义和方法。主要是通过给
出这些缺陷的光学图像示例,为SiC同质外延片上缺陷的光学检测提供检测和分类的依据。
本文件主要论述缺陷的无损表征方法,因此有损表征例如湿法腐蚀等不包含在本文件范围内。
2 规范性引用文件
本文件没有规范性引用文件。
3 术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
ISO 和IEC 维护的用于标准化的术语数据库地址如下:
---ISO 在线浏览平台:availableathttps://www.iso.org/obp
3.1
光学检测 opticalinspection
在光学图像传感器中利用光学成像对晶片进行形态检测,在非接触测试方法下扫描晶片表面以获
得缺陷的特征,例如缺陷的大小和形状。
3.2
光学成像 opticalimaging
利用光源照明、光学部......