路径: 主页 > GB/T > 第243页 > GB/T 4937.12-2018 | 标准编号 | GB/T 4937.12-2018 (GB/T4937.12-2018) | | 中文名称 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第12部分：扫频振动 | | 英文名称 | Semiconductor devices -- Mechanical and climatic test methods -- Part 12: Vibration, variable frequency | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L40 | | 国际标准分类 | 31.080.01 | | 字数估计 | 6,637 | | 发布日期 | 2018-09-17 | | 实施日期 | 2019-01-01 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 4937.12-2018
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 12: Vibration, variable frequency
ICS 31.080.01
L40
中华人民共和国国家标准
半导体器件 机械和气候试验方法
第12部分:扫频振动
(IEC 60749-12:2002,IDT)
2018-09-17发布
2019-01-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
中国国家标准化管理委员会 发 布
前言
GB/T 4937《半导体器件 机械和气候试验方法》由以下部分组成:
---第1部分:总则;
---第2部分:低气压;
---第3部分:外部目检;
---第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST);
---第5部分:稳态温湿度偏置寿命试验;
---第6部分:高温贮存;
---第7部分:内部水汽含量测试和其他残余气体分析;
---第8部分:密封;
---第9部分:标志耐久性;
---第10部分:机械冲击;
---第11部分:快速温度变化 双液槽法;
---第12部分:扫频振动;
---第13部分:盐雾;
---第14部分:引出端强度(引线牢固性);
---第15部分:通孔安装器件的耐焊接热;
---第16部分:粒子碰撞噪声检测(PIND);
---第17部分:中子辐照;
---第18部分:电离辐射(总剂量);
---第19部分:芯片剪切强度;
---第20部分:塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响;
---第20-1部分:对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输;
---第21部分:可焊性;
---第22部分:键合强度;
---第23部分:高温工作寿命;
---第24部分:加速耐湿 无偏置强加速应力试验(HSAT);
---第25部分:温度循环;
---第26部分:静电放电(ESD)敏感度试验 人体模型(HBM);
---第27部分:静电放电(ESD)敏感度试验 机械模型(MM);
---第28部分:静电放电(ESD)敏感度试验 带电器件模型(CDM) 器件级;
---第29部分:闩锁试验;
---第30部分:非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理;
---第31部分:塑封器件的易燃性(内部引起的);
---第32部分:塑封器件的易燃性(外部引起的);
---第33部分:加速耐湿 无偏置高压蒸煮;
---第34部分:功率循环;
---第35部分:塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查;
---第36部分:恒定加速度;
---第37部分:采用加速度计的板级跌落试验方法;
---第38部分:半导体存储器件的软错误试验方法;
---第39部分:半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量;
---第40部分:采用张力仪的板级跌落试验方法;
---第41部分:非易失性存储器件的可靠性试验方法;
---第42部分:温度和湿度贮存;
---第43部分:集成电路(IC)可靠性鉴定方案指南;
---第44部分:半导体器件的中子束辐照单粒子效应试验方法。
本部分为GB/T 4937的第12部分。
本部分按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本部分使用翻译法等同采用IEC 60749-12:2002《半导体器件 机械和气候试验方法 第12部分:
扫频振动》。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本部分由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
本部分起草单位:中国电子科技集团公司第十三研究所。
本部分主要起草人:迟雷、彭浩、岳振鹏、李树杰、崔波、高金环、裴选、张艳杰。
半导体器件 机械和气候试验方法
第12部分:扫频振动
1 范围
GB/T 4937的本部分的目的是测定在规定频率范围内,振动对器件的影响。本试验是破坏性试
验,通常用于有空腔的器件。
本试验与GB/T 2423.10-2008基本一致,但鉴于半导体器件的特殊要求,采用本部分的条款。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 2423.10-2008 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验Fc:振动(正弦)
(IEC 60068-2-6:1995,IDT)
3 试验设备
本试验所需设备包括能在规定条件下进行扫频振动的振动装置,以及试验后进行测量所必需的光
学和电气设备。
4 试验程序
样品应刚性地安装在振动台上,引出端和电缆也应安全固定,以避免引入额外的引线共振。应使样
品做简谐振动,其振幅两倍幅值为1.5mm(峰-峰值),或其峰值加速度为200m/s2,取较小者。振动频
率在20Hz~2000Hz范围内近似对数变化。从20Hz~2000Hz再回到20Hz的整个频率范围的振
动时间不应少于4min。在X、Y 和Z3个方向上各进行4次这样的循环(共12次)。
4.1 检验
按照......
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