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GB/T 4937.12-2018 相关标准英文版PDF

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GB/T 4937.12-2018 119 GB/T 4937.12-2018 [PDF]天数 <=3 半导体器件 机械和气候试验方法 第12部分:扫频振动
   
基本信息
标准编号 GB/T 4937.12-2018 (GB/T4937.12-2018)
中文名称 半导体器件 机械和气候试验方法 第12部分:扫频振动
英文名称 Semiconductor devices -- Mechanical and climatic test methods -- Part 12: Vibration, variable frequency
行业 国家标准 (推荐)
中标分类 L40
国际标准分类 31.080.01
字数估计 6,637
发布日期 2018-09-17
实施日期 2019-01-01
发布机构 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会

GB/T 4937.12-2018 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 12: Vibration, variable frequency ICS 31.080.01 L40 中华人民共和国国家标准 半导体器件 机械和气候试验方法 第12部分:扫频振动 (IEC 60749-12:2002,IDT) 2018-09-17发布 2019-01-01实施 国 家 市 场 监 督 管 理 总 局 中国国家标准化管理委员会 发 布 前言 GB/T 4937《半导体器件 机械和气候试验方法》由以下部分组成: ---第1部分:总则; ---第2部分:低气压; ---第3部分:外部目检; ---第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST); ---第5部分:稳态温湿度偏置寿命试验; ---第6部分:高温贮存; ---第7部分:内部水汽含量测试和其他残余气体分析; ---第8部分:密封; ---第9部分:标志耐久性; ---第10部分:机械冲击; ---第11部分:快速温度变化 双液槽法; ---第12部分:扫频振动; ---第13部分:盐雾; ---第14部分:引出端强度(引线牢固性); ---第15部分:通孔安装器件的耐焊接热; ---第16部分:粒子碰撞噪声检测(PIND); ---第17部分:中子辐照; ---第18部分:电离辐射(总剂量); ---第19部分:芯片剪切强度; ---第20部分:塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响; ---第20-1部分:对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输; ---第21部分:可焊性; ---第22部分:键合强度; ---第23部分:高温工作寿命; ---第24部分:加速耐湿 无偏置强加速应力试验(HSAT); ---第25部分:温度循环; ---第26部分:静电放电(ESD)敏感度试验 人体模型(HBM); ---第27部分:静电放电(ESD)敏感度试验 机械模型(MM); ---第28部分:静电放电(ESD)敏感度试验 带电器件模型(CDM) 器件级; ---第29部分:闩锁试验; ---第30部分:非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理; ---第31部分:塑封器件的易燃性(内部引起的); ---第32部分:塑封器件的易燃性(外部引起的); ---第33部分:加速耐湿 无偏置高压蒸煮; ---第34部分:功率循环; ---第35部分:塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查; ---第36部分:恒定加速度; ---第37部分:采用加速度计的板级跌落试验方法; ---第38部分:半导体存储器件的软错误试验方法; ---第39部分:半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量; ---第40部分:采用张力仪的板级跌落试验方法; ---第41部分:非易失性存储器件的可靠性试验方法; ---第42部分:温度和湿度贮存; ---第43部分:集成电路(IC)可靠性鉴定方案指南; ---第44部分:半导体器件的中子束辐照单粒子效应试验方法。 本部分为GB/T 4937的第12部分。 本部分按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本部分使用翻译法等同采用IEC 60749-12:2002《半导体器件 机械和气候试验方法 第12部分: 扫频振动》。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本部分由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。 本部分起草单位:中国电子科技集团公司第十三研究所。 本部分主要起草人:迟雷、彭浩、岳振鹏、李树杰、崔波、高金环、裴选、张艳杰。 半导体器件 机械和气候试验方法 第12部分:扫频振动 1 范围 GB/T 4937的本部分的目的是测定在规定频率范围内,振动对器件的影响。本试验是破坏性试 验,通常用于有空腔的器件。 本试验与GB/T 2423.10-2008基本一致,但鉴于半导体器件的特殊要求,采用本部分的条款。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T 2423.10-2008 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验Fc:振动(正弦) (IEC 60068-2-6:1995,IDT) 3 试验设备 本试验所需设备包括能在规定条件下进行扫频振动的振动装置,以及试验后进行测量所必需的光 学和电气设备。 4 试验程序 样品应刚性地安装在振动台上,引出端和电缆也应安全固定,以避免引入额外的引线共振。应使样 品做简谐振动,其振幅两倍幅值为1.5mm(峰-峰值),或其峰值加速度为200m/s2,取较小者。振动频 率在20Hz~2000Hz范围内近似对数变化。从20Hz~2000Hz再回到20Hz的整个频率范围的振 动时间不应少于4min。在X、Y 和Z3个方向上各进行4次这样的循环(共12次)。 4.1 检验 按照......