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| 标准编号 | GB/T 1557-2018 (GB/T1557-2018) | | 中文名称 | 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 | | 英文名称 | Test method for determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H17 | | 国际标准分类 | 77.040 | | 字数估计 | 10,137 | | 发布日期 | 2018-09-17 | | 实施日期 | 2019-06-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 1557-2006 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 1557-2018
Test method for determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption
ICS 77.040
H17
中华人民共和国国家标准
代替 GB/T 1557-2006
硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
absorption
2018-09-17发布
2019-06-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
中国国家标准化管理委员会 发 布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 1557-2006《硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法》,与GB/T 1557-2006
相比,除编辑性修改外主要技术变化如下:
---范围中增加了“以低温红外设备测试时,氧含量(原子数)的测试范围从0.5×1015cm-3到硅中
间隙氧的最大固溶度”(见第1章)。
---在规范性引用文件中增加了GB/T 4059、GB/T 4060、GB/T 29057、GB/T 35306(见第2章)。
---在方法提要中增加了低温红外光谱仪的测试原理,并明确“低温傅里叶变换红外光谱仪测试硅
单晶中氧含量的具体内容见GB/T 35306”(见第4章)。
---在干扰因素中增加了多晶、测试环境、样品位置、测试设备对测试结果的影响(见5.1、5.8、5.9、
5.10)。
---将扣除参比光谱后样品的透射光谱在1600cm-1处的透射率由“100%±0.5%”改为“100%±
5%”(见5.4,2006年版5.3)。
---删除了沉淀氧浓度较高时,1230cm-1处的吸收谱带对测试结果的影响(见2006年版5.5)。
---将“6.3 千分尺”修改为“6.3 厚度测量设备”,修改设备精度大于0.01mm(见6.3,2006年版
6.3)。
---将“6.4 热电偶-毫伏计”修改为“6.4 温度测量设备 热电偶-毫伏计或其他适用于测试样品
室温度的设备”(见6.4,2006年版6.4)。
---增加“6.5 湿度测试设备 湿度计或其他适用于测试环境湿度的设备”(见6.5)。
---将设备检查中的抛光片厚度由0.065cm改为0.085cm(见8.2.5,2006年版8.2.5)。
---将“表面处理”修改为“在测试之前,应保证样品表面无氧化物”,删除了“用 HF腐蚀去除表面
的氧化物”(见8.3,2006年版8.3)。
---将“厚度测量”修改为“测量被测样品和参比样品的厚度。两者中心的厚度差应小于±0.5%”
(见8.4,2006年版8.4)。
---将绘制透射谱图列为资料性附录(见附录A,2006年版8.7)。
---根据试验情况,修改了精密度(见第10章,2006年版第11章)。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:新特能源股份有限公司、有研半导体材料有限公司、亚洲硅业(青海)有限公司、宜
昌南玻硅材料有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、内蒙古盾安光伏科技有限公司、峨嵋半导体材料
研究所、北京合能阳光新能源技术有限公司。
本标准主要起草人:银波、夏进京、邱艳梅、刘国霞、柴欢、赵晶晶、刘文明、姚利忠、王海礼、邓浩、
高明、郑连基、陈赫、石宇、杨旭、肖宗杰。
本标准代替了GB/T 1557-2006。
GB/T 1557-2006历次版本发布情况为:
---GB/T 1557-1989、GB/T 14143-1993。
硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
1 范围
本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶晶体中间隙氧含量的方法。
本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω·cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω·cm的P型硅
单晶中间隙氧含量的测定。以常温红外设备测试时,氧含量(原子数)测试范围从1×1016cm-3到硅中
间隙氧的最大固溶度;以低温红外设备测试时,氧含量(原子数)的测试范围从0.5×1015cm-3到硅中间
隙氧的最大固溶度。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 4059 硅多晶气氛区熔基磷检验方法
GB/T 4060 硅多晶真空区熔基硼检验方法
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 29057 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
GB/T 35306 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法
3 术语和定义
GB/T 14264和ASTME131界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
一种使用棱镜或光栅作为色散元件,通过振幅-波数(或波长)光谱图获取数据的红外光谱仪。
3.2
一种通过傅里叶变换将由干涉仪得到的干涉谱图转换为振幅-波数(或波长)光谱图来获取数据的
红外光谱仪。
3.3
参比光谱 referencespectrum
参比样品的光谱。
注:在用双光束光谱仪测试时,可以通过直接......
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