路径: 主页 > GB/T > 第393页 > GB/T 29850-2013 | 标准编号 | GB/T 29850-2013 (GB/T29850-2013) | | 中文名称 | 光伏电池用硅材料补偿度测量方法 | | 英文名称 | Test method for measuring compensation degree of silicon materials used for photovoltaic applications | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H82 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 7,793 | | 引用标准 | GB/T 4326; GB/T 14264; GB/T 24581; GB/T 29057 | | 标准依据 | 国家标准公告2013年第22号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了光伏电池用硅材料补偿度的测量和分析方法。本标准适用于光伏电池用非掺杂硅材料补偿度的测量和分析。 | GB/T 29850-2013
Test method for measuring compensation degree of silicon materials used for photovoltaic applications
ICS 29.045
H82
中华人民共和国国家标准
光伏电池用硅材料补偿度测量方法
2013-11-12发布
2014-04-15实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。
本标准起草单位:信息产业专用材料质量监督检验中心、中国电子技术标准化研究院、无锡尚德太
阳能电力有限公司、国家电子功能与辅助材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限
公司。
本标准主要起草人:董颜辉、何秀坤、郑彩萍、裴会川、冯亚彬、路景刚、张雪囡。
光伏电池用硅材料补偿度测量方法
1 范围
本标准规定了光伏电池用硅材料补偿度的测量和分析方法。
本标准适用于光伏电池用非掺杂硅材料补偿度的测量和分析。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 24581 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法
GB/T 29057 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
3 术语和定义
GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。
4 方法原理
利用载流子浓度与温度变化关系的电中性方程,对n(P)-T-l关系曲线进行计算机拟合分析,从而
得到补偿度。电中性方程(以N型样品为例)如式(1)所示:
n(n+NA)
ND-NA-n=
NC
gA
·exp(-Ej/kT) (1)
其中NC 计算方法见式(2):
NC=2
2πm*akT
(2)
电离化杂质浓度关系见式(3):
n300=ND-NA (3)
由式(1)、式(2)、式(3)利用最小二乘法原理,并适当调整gA、m*a 、ND、NA、Ej5个量作数据拟合,得
到补偿度的表达式见式(4)、式(5):
Kp=ND/NA (P)型 (4)
KN=NA/ND (N)型 (5)
根据GB/T 4326,对样品作变温霍尔测量,由式(6)计算测试数据,得到......
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