路径: 主页 > GB/T > 第393页 > GB/T 29852-2013 | 标准编号 | GB/T 29852-2013 (GB/T29852-2013) | | 中文名称 | 光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量的二次离子质谱测量方法 | | 英文名称 | Test method for measuring phosphorus, arsenic and antimony in silicon materials used for photovoltaic applications by secondary ion mass spectrometry | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H82 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 7,711 | | 标准依据 | 国家标准公告2013年第22号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了用二次离子质谱仪(SIMS)测定光伏电池用硅材料中磷、砷和锑含量的方法, 本标准适用于光伏电池用硅材料中施主杂质磷、砷和锑含量的定量分析, 其中磷、砷和锑的浓度均大于1×10(14)atoms/cm3。 | GB/T 29852-2013
Test method for measuring phosphorus, arsenic and antimony in silicon materials used for photovoltaic applications by secondary ion mass spectrometry
ICS 29.045
H82
中华人民共和国国家标准
光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质
含量的二次离子质谱测量方法
2013-11-12发布
2014-04-15实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。
本标准起草单位:信息产业专用材料质量监督检验中心、中国电子技术标准化研究院、国家电子功
能与辅助材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司。
本标准主要起草人:马农农、何友琴、王东雪、何秀坤、冯亚彬、裴会川、张雪囡。
光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质
含量的二次离子质谱测量方法
1 范围
本标准规定了用二次离子质谱仪(SIMS)测定光伏电池用硅材料中磷、砷和锑含量的方法。
本标准适用于光伏电池用硅材料中施主杂质磷、砷和锑含量的定量分析,其中磷、砷和锑的浓度均
大于1×1014atoms/cm3。
2 方法原理
在高真空条件下,铯离子源产生的一次离子,经过加速、纯化、聚焦后,轰击样品表面,溅射出多种粒
子,将其中的离子(即二次离子)引出,通过质谱仪将不同荷质比的离子分开,记录并计算样品中磷、砷、
锑与硅的二次离子强度比(31P-)/(30Si-)、(75As-)/(30Si-)、(121Sb-)/(30Si-),然后利用相对灵敏度因
子进行定量。
3 干扰因素
3.1 样品表面吸附的磷、砷、锑会干扰样品中磷、砷、锑的测量。
3.2 从SIMS仪器样品室吸附到样品表面的硼和铝会干扰样品中磷、砷、锑的测量。
3.3 在样品架窗口范围内的样品表面应平整,以保证每个样品移动到分析位置时,其表面与离子收集
光学系统的倾斜度不变,否则测量的准确度和精度会降低。
3.4 测量的准确度和精度随着样品表面粗糙度的增大而显著降低,可通过对样品表面进行化学机械抛
光予以消除。
3.5 标准样品中磷、砷、锑分布不均匀会影响测量精度。
3.6 标准样品中磷、砷、锑标称浓度的偏差会导致测量结果的偏差。
3.7 因仪器不同或者同一仪器的状态不同,检测限可能不同。
3.8 因为二次离子质谱分析是破坏性的试验,所以应进行取样,且所取样品应能代表该批硅料的性质。
本标准未规定统一的取样方法,因为大多数合适的取样计划根据样品情况不同而有区别。为了达到仲
裁目的,取样计划应在测试之前得到测试双方的认可。
4 仪器及设备
4.1 扇形磁场二次离子质谱仪
仪器需要装备铯一次离子源,能检测负二次离子的电子倍增器和法拉第杯检测器,质量分辨率优于4000。
4.2 液氮......
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