路径: 主页 > GB/T > 第201页 > GB/T 36646-2018 | 标准编号 | GB/T 36646-2018 (GB/T36646-2018) | | 中文名称 | 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备 | | 英文名称 | Equipment for preparation of nitride semiconductor materials by hydride vapor phase epitaxy | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L95 | | 国际标准分类 | 31.220 | | 字数估计 | 18,126 | | 发布日期 | 2018-09-17 | | 实施日期 | 2019-01-01 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 36646-2018
Equipment for preparation of nitride semiconductor materials by hydride vapor phase epitaxy
ICS 31.220
L95
中华人民共和国国家标准
制备氮化物半导体材料用
氢化物气相外延设备
2018-09-17发布
2019-01-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
中国国家标准化管理委员会 发 布
目次
前言 Ⅲ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 产品分类和标记 2
4.1 分类 2
4.2 型号标记 2
5 工作条件 3
5.1 电源 3
5.2 环境温度 3
5.3 相对湿度 3
5.4 大气压力 3
5.5 洁净室等级 4
5.6 冷却水 4
5.7 动力气体 4
6 要求 4
6.1 压升率 4
6.2 气体输运系统 4
6.3 电气系统 4
6.4 控制软件 4
6.5 整机性能 5
6.6 安全防护 5
7 检测方法 6
7.1 压升率测试 6
7.2 气体输运系统检测 6
7.3 电气系统检测 6
7.4 控制软件检测 7
7.5 整机性能检测 7
7.6 安全防护检测 9
8 检验规则 9
8.1 检验分类 9
8.2 型式检验 9
8.3 出厂检验 10
8.4 判定规则 10
9 标志、包装、运输和储存 10
9.1 标志 10
9.2 包装 11
9.3 运输 11
9.4 储存 11
附录A(规范性附录) 氮化物外延材料厚度测量 12
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。
本标准起草单位:东莞市中镓半导体科技有限公司、中国电子技术标准化研究院。
本标准主要起草人:刘鹏、孙永健、丁晓民、冯亚彬、王健辉。
制备氮化物半导体材料用
氢化物气相外延设备
1 范围
本标准规定了制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备(以下简称“HVPE设备”)的产品分
类和标记、工作条件、要求、检测方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。
本标准适用于制备直径50.8mm~152.4mm氮化物半导体材料的HVPE设备。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 191-2008 包装储运图示标志
GB/T 3768-2017 声学 声压法测定噪声源声功率级和声能量级 采用反射面上方包络测量面
的简易法
GB/T 5080.7-1986 设备可靠性试验 恒定失效率假设下的失效率与平均无故障时间的验证试
验方案
GB 5226.1-2008 机械电气安全 机械电气设备 第1部分:通用技术条件
GB/T 6388-1986 运输包装收发货标志
GB/T 14264-2009 半导体材料术语
GB 50073-2013 洁净厂房设计规范
GB/T 50087-2013 工业企业噪声控制设计规范
GB 50646-2011 特种气体系统工程技术规范
SJ/T 37-1996电子工业专用设备型号编制及命名方法
3 术语和定义
GB/T 14264-2009和GB 50646-2011界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
在外延生长所需的化学组分中,至少采用一种氢化物的气相外延。
3.2
反应室 reactionchambe......
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