首页 购物车 询价
www.GB-GBT.com 收录标准: 222414 (2026-05-15)
路径: 主页 > GB/T > 第237页 > GB/T 44807.1-2024

[PDF] GB/T 44807.1-2024 - 英文版

标准号码内文价格美元第2步(购买)交付天数标准名称状态
GB/T 44807.1-2024 英文版 1264 GB/T 44807.1-2024 [PDF]天数 >=7 集成电路电磁兼容建模 第1部分:通用建模框架 有效
基本信息
标准编号 GB/T 44807.1-2024 (GB/T44807.1-2024)
中文名称 集成电路电磁兼容建模 第1部分:通用建模框架
英文名称 EMC IC modelling - Part 1: General modelling framework
行业 国家标准 (推荐)
中标分类 L56
国际标准分类 31.200
字数估计 63,610
发布日期 2024-10-26
实施日期 2024-10-26
发布机构 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

GB/T 44807.1-2024: 集成电路电磁兼容建模 第1部分:通用建模框架 ICS 31.200 CCSL56 中华人民共和国国家标准 集成电路电磁兼容建模 第1部分:通用建模框架 (IEC 62433-1:2019,IDT) 2024-10-26发布 2024-10-26实施 国 家 市 场 监 督 管 理 总 局 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布 目次 前言 Ⅲ 引言 Ⅳ 1 范围 1 2 规范性引用文件 1 3 术语、定义和缩略语 1 3.1 术语和定义 1 3.2 缩略语 4 3.3 约定 4 4 模型的定义 4 4.1 概述 4 4.2 传导发射模型 4 4.3 辐射发射模型 4 4.4 传导抗扰度模型 4 4.5 辐射抗扰度模型 5 4.6 传导脉冲抗扰度模型 5 5 建模方法 5 5.1 通则 5 5.2 黑盒建模方法 5 5.3 等效电路建模方法 6 5.4 其他建模方法 6 6 模型描述的要求 6 7 模型数据交换格式 7 7.1 概述 7 7.2 IC_EMCML结构 7 7.3 IC_EMCML组成 8 附录A(规范性) ICEMC模型的要求 17 附录B(规范性) XML表示的基本定义 19 附录C(规范性) IC_EMCML的有效关键字和用法 25 参考文献 57 前言 本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 本文件是GB/T 44807《集成电路电磁兼容建模》的第1部分。GB/T 44807已经发布了以下部分: ---第1部分:通用建模框架。 本文件等同采用IEC 62433-1:2019《集成电路电磁兼容建模 第1部分:通用建模框架》。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本文件由全国集成电路标准化技术委员会(SAC/TC599)归口。 本文件起草单位:中国电子技术标准化研究院、深圳市北测标准技术服务有限公司、安徽中认倍佳 科技有限公司、天津先进技术研究院、北京智芯微电子科技有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、 北京邮电大学、浙江大学、广州致远电子有限公司、北京航空航天大学、深圳市海思半导体有限公司、 南京信息工程大学、中国汽车工程研究院股份有限公司、河南凯瑞车辆检测认证中心有限公司、苏州菲 利波电磁技术有限公司、江苏省电子信息产品质量监督检验研究院(江苏省信息安全测评中心)。 本文件主要起草人:朱赛、崔强、吴建飞、张海峰、方文啸、谢玉章、李旸、付君、张金玲、魏兴昌、陈勇志、 张红丽、阎照文、黄银涛、万发雨、褚瑞、黄雪梅、李腾飞、崔培宾、陈嘉声。 引 言 为规范集成电路电磁兼容建模,以及为集成电路制造商提供电磁兼容建模方法和要求, GB/T 44807规定了集成电路电磁兼容建模的通用框架、方法和要求,拟由6个部分构成。 ---第1部分:通用建模框架。目的在于规定集成电路电磁兼容宏建模的框架和方法,常用术语的 定义、不同的建模方法以及标准化的每个模型类别的要求和数据交换格式。 ---第2部分:集成电路电磁干扰特性仿真模型 传导发射建模 (ICEM-CE)。目的在于规定集成 电路传导发射建模方法和要求。 ---第2-1部分:传导发射的黑匣子建模理论。目的在于给出集成电路传导发射的黑匣子建模 理论。 ---第3部分:集成电路电磁干扰特性仿真模型 辐射发射建模 (ICEM-RE)。目的在于规定集成 电路辐射发射建模方法和要求。 ---第4部分:集成电路射频抗扰度特性仿真模型 传导抗扰度建模 (ICIM-CI)。目的在于规定 集成电路传导抗扰度建模方法和要求。 ---第6部分:集成电路脉冲抗扰度特性仿真模型 传导脉冲抗扰度建模(ICIM-CPI)。目的在于 规定集成电路传导脉冲抗扰度建模方法和要求。 集成电路电磁兼容建模 第1部分:通用建模框架 1 范围 本文件规定了集成电路(IC)电磁兼容(EMC)宏建模的框架和方法,规定了IEC 62433其他部分中 常用术语的定义、不同的建模方法以及标准化的每个模型类别的要求和数据交换格式。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文 件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于 本文件。 IEC 62433(所有部分) 集成电路电磁兼容建模(EMCICmodeling) Interchange(7-BitASCII)] 3 术语、定义和缩略语 3.1 术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 3.1.1 用于模拟IC传导电磁发射的宏模型。 注:......

英文网页English: GB/T 44807.1-2024

相关标准: GB/T 43979 | GB/T 44807.3 | GB/T 44807.2 | GB/T 44798 |