| 标准编号 | GB/T 13389-2014 (GB/T13389-2014) | | 中文名称 | 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程 | | 英文名称 | Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped and phosphorus-doped silicon | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H80 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 29,287 | | 发布日期 | 12/31/2014 | | 实施日期 | 9/1/2015 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 13389-1992 | | 引用标准 | GB/T 1550; GB/T 1551; GB/T 4326; GB/T 14264 | | 标准依据 | 国家标准公告2014年第33号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂荆浓度之间的换算关系, 该换算关系也适用于掺锑硅单晶, 还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。本标准适用于掺硼浓度10(14)cm-3～1×1020cm-3, 掺磷浓度3×10(13)cm-3～1×10(20)cm-3, 掺砷浓度10(19)cm-3～6×10(20)cm-3。对掺硼、掺磷的硅单晶渗杂剂浓度可扩展到10(12)cm-3。本标准也可用于在23℃下从硅单晶电阻率到载流子浓度的换算, 但不包括对砷掺杂剂的载流子浓度换算, 或任何其他载流子浓度的换算。 | GB/T 13389-2014
Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped and phosphorus-doped silicon
ICS 29.045
H80
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 13389-1992
掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与
掺杂剂浓度换算规程
2014-12-31发布
2015-09-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 13389-1992《掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程》,参照SEMI
MF723-0307《掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程》对GB/T 13389-1992进行修订。
本标准与GB/T 13389-1992相比,主要有以下变化:
---增加了公式(5)、(6)、(7),即砷的掺杂剂浓度换算电阻率、掺硼硅单晶电阻率换算空穴浓度和
掺磷硅单晶电阻率换算电子浓度的公式以及相应的适用范围;
---由于所有公式都是经验公式或是试验结果,因此本标准中给出了公式的试验依据以便于使用
者更好地了解和使用这些换算规程;
---增加干扰因素(见第6章);
---增加了附录和参考文献。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、四川新光硅业科技有限责任公司、中国计量科学
研究院、浙江省硅材料质量检验中心、杭州海纳半导体有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、西安隆
基硅材料股份有限公司。
本标准主要起草人:孙燕、梁洪、高英、楼春兰、张静、王飞尧、曹孜、何良恩、张海英、张群社。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T 13389-1992。
掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与
掺杂剂浓度换算规程
1 范围
本标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度之间的换算关系,该换算关系也适用于
掺锑硅单晶,还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。
本标准适用于掺硼浓度1014cm-3~1×1020cm-3,掺磷浓度3×1013cm-3~1×1020cm-3,掺砷浓
度1019cm-3~6×1020cm-3。对掺硼、掺磷的硅单晶掺杂剂浓度可扩展到1012cm-3。
本标准也可用于在23℃下从硅单晶电阻率到载流子浓度的换算,但不包括对砷掺杂剂的载流子浓
度换算,或任何其他载流子浓度的换算。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注明日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法
GB/T 4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T 14264 半导体材料术语
3 术语和定义
GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
自相容性误差 theself-consistencyerrors
电阻率与掺杂剂浓度之间的换算公式或表格,是以其中一个为变量,拟合实验数据推导出另一个变
量,当使用不同的变量时会产生两个互为补充的公式,例如公式(1)和(2),公式(3)和(4)。由于这些公
式在数学上并不完全等价,因此在使用由此推导出来的公式或表格时将产生微小的差异,该差异称为自
相容性误差。
4 方法提要
电阻率与掺杂剂浓度之间的相互换算是基于掺硼、掺磷硅单晶中两者间的综合经验数据得到的,并
将其扩展到硅中具有相似激活能的其他掺杂剂,根据相同的方法也给出了电阻率与载流子浓度的换算
关系。本标准中将该换算关系表示为公式、曲线以及表格的形式,应用时请特别注意不同公式的适用范
围以及相应的误差。
注1:本标......
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