| 标准编号 | GB/T 13539.4-2016 (GB/T13539.4-2016) | | 中文名称 | 低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 | | 英文名称 | Low-voltage fuses -- Part 4: Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | K31 | | 国际标准分类 | 29.120.50 | | 字数估计 | 44,443 | | 发布日期 | 2016-04-25 | | 实施日期 | 2016-11-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 13539.4-2009 | | 引用标准 | IEC 60269-1-2006; IEC 60269-2-2006; IEC 60269-3; IEC 60417; ISO 3 | | 采用标准 | IEC 60269-4-2012, IDT | | 标准依据 | 国家标准公告2016年第7号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体, 该熔断体适用于标称电压不超过交流1000V或直流1500V的电路。如适用, 还可用于更高的标称电压的电路。 | GB/T 13539.4-2016
Low-voltage fuses.Part 4: Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices
ICS 29.120.50
K31
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 13539.4-2009
低压熔断器
第4部分:半导体设备保护用熔断体
的补充要求
Low-voltagefuses-
(IEC 60269-4:2012,IDT)
2016-04-25发布
2016-11-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
目次
前言 Ⅰ
1 总则 1
2 术语和定义 2
3 正常工作条件 2
4 分类 4
5 熔断器特性 4
6 标志 7
7 设计的标准条件 8
8 试验 8
附录AA(资料性附录) 熔断体和半导体设备的配合导则 18
附录BB(规范性附录) 制造厂应在产品使用说明书(样本)中列出的半导体设备保护用熔断体
的资料 22
附录CC(规范性附录) 半导体设备保护用标准化熔断体示例 23
参考文献 39
前言
GB 13539《低压熔断器》目前包括以下6个部分:
---第1部分:基本要求;
---第2部分:专职人员使用的熔断器的补充要求(主要用于工业的熔断器)标准化熔断器系统示
例A至K;
---第3部分:非熟练人员使用的熔断器的补充要求(主要用于家用和类似用途的熔断器)标准化
熔断器系统示例A至F;
---第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求;
---第5部分:低压熔断器应用指南;
---第6部分:太阳能光伏系统保护用熔断体的补充要求。
本部分为GB 13539的第4部分。
本部分按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本部分代替GB/T 13539.4-2009《低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要
求》。本部分与GB/T 13539.4-2009相比主要技术变化如下:
---增加VSI(电压源逆变器)内容,包括VSI特性、技术要求及试验方法等;
---表101“‘gR’和‘gS’型熔断体的约定时间和约定电流”中,“gR”型约定不熔断电流Inf从1.1In
改为1.13In;
---表102“完整试验清单”中删去了交流No.6~No.10试验,补充了VSINo.21试验,并将脚注a
修改为“如果周围空气温度在10℃和30℃之间,弧前I2t特性有效”;
---表103“同一熔断体系列中最小额定电流熔断体试验一览表”中删去了交流No.6试验和直流
No.11试验;
---8.4.3.6“指示装置和撞击器(如有)的动作”增加“指示装置或撞击器的性能和性能验证由制造
厂和用户协商”规定;
---将原表106“验证交流截断电流、I2t特性和电弧电压特性试验参数”删去,改为新的表106
“VSI熔断体分断能力试验参数”;
---附录CC的“CC.3B型螺栓连接熔断体系统---DIN”和“CC.5A型接触片式熔断体系统”中
增加了“‘gR’和‘gS’型熔断体的约定时间和约定电流”表;
---附录CC的北美熔断体系统增加了分断能力试验的恢复电压要求;
---附录CC增加了法国的B型圆筒形帽熔断体系统。
本部分使用翻译法等同采用IEC 60269-4:2012《低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体
的补充要求》。
与本部分中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下:
---GB/T 321-2005 优先数和优先数系(ISO 3:1973,IDT);
---GB/T 5465.2-2008 电气设备用图形符号 第2部分:图形符号(IEC 60417DB:2007,
IDT);
---GB 13539.1-2015 低压熔断器 第1部分:基本要求(IEC 60269-1:2009,IDT);
---GB/T 13539.2-2015 低压熔断器 第2部分:专业人员使用的熔断器的补充要求(主要用
于工业的熔断器)标准化熔断器系统示例A至K(IEC 60269-2:2013,IDT);
---GB 13539.3-2008 低压熔断器 第3部分:非熟练人员使用的熔断器的补充要求(主要用于
家用和类似用途的熔断器)标准化熔断器系统示例A至F(IEC 60269-3:2006,IDT)。
本部分作了下列编辑性修改:
---删除国际标准的前言;
---图CC.6中右上图有3个“x”剖视符号,2个疑有误,删去;此外右下图中“X详图6)”疑有误,改
为“X详图5)”;
---CC.6.1中“(见CC.6.4)”疑有误,改为“(见CC.6.3)”。
本部分由中国电器工业协会提出。
本部分由全国熔断器标准化技术委员会(SAC/TC340)归口。
本部分负责起草单位:上海电器科学研究院。
本部分参加起草单位:上海电器陶瓷厂有限公司、人民电器集团有限公司、好利来(中国)电子科技
股份有限公司、西安西整熔断器厂、美尔森电气保护系统(上海)有限公司、浙江正泰电器股份有限公司、
浙江西熔电气有限公司、上海西门子线路保护系统有限公司、温州三实电器有限公司、浙江新力熔断器
有限公司、乐清市沪熔特种熔断器有限公司、西安中熔电气有限公司、库柏西安熔断器有限公司、上海电
器设备检测所。
本部分主要起草人:吴庆云、张丽丽、林海鸥、李全安、赖文辉、刘双库、贾炜、李传上、李振飞、周纲、
黄旭雄、方径林、郑爱国、石晓光、张懿、易颖。
本部分所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB 13539.4-1992;
---GB/T 13539.4-2005、GB/T 13539.7-2005;
---GB/T 13539.4-2009。
低压熔断器
第4部分:半导体设备保护用熔断体
的补充要求
1 总则
除IEC 60269-1:2006规定外,补充下列要求。
半导体设备保护用熔断体应符合IEC 60269-1:2006所有要求,并且还应符合本部分规定的补充
要求。
1.1 范围和目的
本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体,该熔断体适用于标称电压不
超过交流1000V或直流1500V的电路。如适用,还可用于更高的标称电压的电路。
注1:此类熔断体通常称为“半导体熔断体”。
注2:在多数情况下,组合设备的一部分可用作熔断器底座。由于设备的多样性,难以作出一般的规定;组合设备
是否适合作熔断器底座,宜由用户与制造厂协商。但是,如果采用独立的熔断器底座或熔断器支持件,他们
应符合IEC 60269-1:2006的相关要求。
注3:IEC 60269-6专用于太阳能光伏系统的保护。
本部分的目的是确定半导体熔断体的特性,从而在相同尺寸的前提下,可以用具有相同特性的其他
型式的熔断体替换半导体熔断体。因此,本部分中特别规定了:
a) 熔断体的下列特性:
1) 额定值;
2) 正常工作时的温升;
3) 耗散功率;
4) 时间-电流特性;
5) 分断能力;
6) 截断电流特性和I2t特性;
7) 电弧电压特性。
b) 验证熔断体特性的型式试验;
c) 熔断体标志;
d) 应......
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