GB/T 14863-2013 相关标准英文版PDF
| 标准号码 | 价格美元 | 第2步(购买) | 交付天数 | 标准名称 |
| GB/T 14863-2013 | 559 | GB/T 14863-2013 | [PDF]天数 <=3 | 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法 |
| GB/T 14863-1993 | 399 | GB/T 14863-1993 | [PDF]天数 <=3 | 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | GB/T 14863-2013 (GB/T14863-2013) |
| 中文名称 | 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法 |
| 英文名称 | Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes |
| 行业 | 国家标准 (推荐) |
| 中标分类 | H80 |
| 国际标准分类 | 29.045 |
| 字数估计 | 14,152 |
| 旧标准 (被替代) | GB/T 14863-1993 |
| 引用标准 | GB/T 14141; GB/T 14146; GB/T 14847; SEMI MF110-1105 |
| 标准依据 | 国家标准公告2013年第27号 |
| 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 |
| 范围 | 本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的测试方法。本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录A)相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层的净载流子浓度测量。本标准也适用于硅抛光片的净载流子浓度测量。 |
GB/T 14863-2013
Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
ICS 29.045
H80
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 14863-1993
用栅控和非栅控二极管的电压电容关系
测定硅外延层中净载流子浓度的方法
2013-12-31发布
2014-08-15实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 14863-1993《用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流
子浓度的标准方法》。
本标准与GB/T 14863-1993相比,主要有下列变化:
---增加了标准的“前言”;
---调整并增加了引用标准;
---对试验条件、试验方法进行了简化和调整;
---对附录进行了调整。
本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本标准由中国电子技术标准化研究院归口。
本标准起草单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究
所、中国电子技术标准化研究院。
本标准主要起草人:何秀坤、董颜辉、周智慧、段曙光、刘筠。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T 14863-1993。
用栅控和非栅控二极管的电压电容关系
测定硅外延层中净载流子浓度的方法
1 范围
本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的测试方法。
本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录A)相同或相反导电类型衬底上的n型或
p型外延层的净载流子浓度测量。本标准也适用于硅抛光片的净载流子浓度测量。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 14141 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
GB/T 14146 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
GB/T 14847 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延厚度的红外反射测量方法
SEMIMF110-1105 用磨角和染色技术测定硅外延或扩散层厚度的试验方法
3 术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
击穿电压 breakdownvoltage
被测二极管出现10μA漏电电流时的反向偏压。
4 方法原理
测量栅控或非栅控p-n结或肖特基二极管的小讯号高频电容与反向偏压的函数关系,由所测电容
和反向偏压值确定净载流子浓度与深度的函数关系。对于栅控二极管的测量,栅极加一恒定偏压。
5 测量仪器
5.1 电容电桥或电容计
量程满刻度为1pF~1000pF,以10倍增大或减小。测量频率范围为0.09MHz~1.1MHz,每个
量程准确度优于满刻度的1.0%,重复性优于满刻度的0.25%。仪器应能承受200V或绝对值更高的外
加直流偏压,能补偿不低于5pF的外部探针架的杂......